પાવર MOSFET ના કાર્યકારી સિદ્ધાંત વિશે

પાવર MOSFET બે મુખ્ય રીતે કામ કરે છે:

(1) જ્યારે D અને S (ડ્રેન પોઝિટિવ, સ્ત્રોત નેગેટિવ) અને UGS=0 માં પોઝિટિવ વોલ્ટેજ ઉમેરવામાં આવે છે, ત્યારે P બોડી પ્રદેશ અને N ડ્રેઇન પ્રદેશમાં PN જંકશન વિપરીત પૂર્વગ્રહયુક્ત હોય છે, અને D વચ્ચે કોઈ વર્તમાન પસાર થતો નથી. અને S. જો G ​​અને S વચ્ચે પોઝિટિવ વોલ્ટેજ UGS ઉમેરવામાં આવે, તો કોઈ ગેટ કરંટ વહેશે નહીં કારણ કે ગેટ ઇન્સ્યુલેટેડ છે, પરંતુ ગેટ પર પોઝિટિવ વોલ્ટેજ આવશે છિદ્રોને નીચે P પ્રદેશથી દૂર દબાણ કરો, અને લઘુમતી વાહક ઇલેક્ટ્રોન P પ્રદેશની સપાટી તરફ આકર્ષિત થશે જ્યારે UGS ચોક્કસ વોલ્ટેજ UT કરતા વધારે હશે, ત્યારે ગેટની નીચે P પ્રદેશની સપાટી પર ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા ઓળંગી જશે. છિદ્ર એકાગ્રતા, આમ પી-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટર એન્ટીપેટર્ન લેયર એન-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટર બનાવે છે; આ એન્ટિ-પેટર્ન સ્તર સ્ત્રોત અને ડ્રેઇન વચ્ચે એન-ટાઇપ ચેનલ બનાવે છે, જેથી PN જંકશન અદૃશ્ય થઈ જાય, સ્ત્રોત અને ડ્રેઇન વાહક બને, અને ડ્રેઇન વર્તમાન ID ડ્રેઇનમાંથી વહે છે. UT ને ટર્ન-ઓન વોલ્ટેજ અથવા થ્રેશોલ્ડ વોલ્ટેજ કહેવામાં આવે છે, અને વધુ UGS UT કરતાં વધી જાય છે, વાહક ક્ષમતા જેટલી વધુ વાહક હોય છે અને ID જેટલી મોટી હોય છે. UGS UT કરતાં વધુ, વાહકતા જેટલી મજબૂત, ID વધારે છે.

(2) જ્યારે D, S પ્લસ નેગેટિવ વોલ્ટેજ (સ્રોત પોઝિટિવ, ડ્રેઇન નેગેટિવ), PN જંકશન ફોરવર્ડ બાયસ્ડ હોય છે, જે આંતરિક રિવર્સ ડાયોડની સમકક્ષ હોય છે (જેમાં ઝડપી પ્રતિસાદની વિશેષતાઓ હોતી નથી), એટલે કે,MOSFET રિવર્સ બ્લોકિંગ ક્ષમતા નથી, તેને વ્યસ્ત વહન ઘટકો તરીકે ગણી શકાય.

    દ્વારાMOSFET ઓપરેશનના સિદ્ધાંતને જોઈ શકાય છે, તેના વહનમાં માત્ર એક જ ધ્રુવીય વાહક સામેલ છે, જેને યુનિપોલર ટ્રાન્ઝિસ્ટર તરીકે પણ ઓળખવામાં આવે છે. MOSFET ડ્રાઇવ ઘણીવાર પાવર સપ્લાય IC અને MOSFET પરિમાણો પર આધારિત હોય છે જેથી યોગ્ય સર્કિટ પસંદ કરવામાં આવે, MOSFET નો ઉપયોગ સામાન્ય રીતે સ્વિચિંગ માટે થાય છે. પાવર સપ્લાય ડ્રાઇવ સર્કિટ. MOSFET નો ઉપયોગ કરીને સ્વિચિંગ પાવર સપ્લાય ડિઝાઇન કરતી વખતે, મોટાભાગના લોકો MOSFET ના ઓન-રેઝિસ્ટન્સ, મહત્તમ વોલ્ટેજ અને મહત્તમ વર્તમાનને ધ્યાનમાં લે છે. જો કે, લોકો ઘણી વાર ફક્ત આ પરિબળોને ધ્યાનમાં લે છે, જેથી સર્કિટ યોગ્ય રીતે કાર્ય કરી શકે, પરંતુ તે સારો ડિઝાઇન સોલ્યુશન નથી. વધુ વિગતવાર ડિઝાઇન માટે, MOSFET એ તેની પોતાની પરિમાણ માહિતી પણ ધ્યાનમાં લેવી જોઈએ. ચોક્કસ MOSFET માટે, તેનું ડ્રાઇવિંગ સર્કિટ, ડ્રાઇવ આઉટપુટનો પીક કરંટ, વગેરે, MOSFET ના સ્વિચિંગ પ્રભાવને અસર કરશે.