મૂળભૂત MOSFET ઓળખ અને પરીક્ષણ

1.જંકશન MOSFET પિન ઓળખ

ના દરવાજેMOSFET ટ્રાંઝિસ્ટરનો આધાર છે, અને ડ્રેઇન અને સ્ત્રોત એ ના કલેક્ટર અને ઉત્સર્જક છેઅનુરૂપ ટ્રાન્ઝિસ્ટર. મલ્ટિમીટરથી R × 1k ગિયર, બે પિન વચ્ચે આગળ અને વિપરીત પ્રતિકારને માપવા માટે બે પેન સાથે. જ્યારે બે-પિન ફોરવર્ડ રેઝિસ્ટન્સ = રિવર્સ રેઝિસ્ટન્સ = KΩ, એટલે કે સ્ત્રોત S અને ડ્રેઇન D માટે બે પિન, બાકીની પિન ગેટ G છે. જો તે 4-પિન હોયજંકશન MOSFET, અન્ય ધ્રુવ ગ્રાઉન્ડેડ શિલ્ડનો ઉપયોગ છે.

2.દરવાજો નક્કી કરો　

MOSFET ને એક રેન્ડમ ઇલેક્ટ્રોડને સ્પર્શ કરવા માટે મલ્ટિમીટરની કાળી પેન સાથે, અન્ય બે ઇલેક્ટ્રોડને સ્પર્શ કરવા માટે લાલ પેન. જો બંને માપેલ પ્રતિકાર નાનો છે, જે દર્શાવે છે કે બંને હકારાત્મક પ્રતિકાર છે, ટ્યુબ N-ચેનલ MOSFET ની છે, તે જ કાળી પેન સંપર્ક પણ દ્વાર છે.

ઉત્પાદન પ્રક્રિયાએ નક્કી કર્યું છે કે MOSFET ના ડ્રેઇન અને સ્ત્રોત સપ્રમાણ છે, અને એકબીજા સાથે વિનિમય કરી શકાય છે, અને સર્કિટના ઉપયોગને અસર કરશે નહીં, આ સમયે સર્કિટ પણ સામાન્ય છે, તેથી ત્યાં જવાની જરૂર નથી. અતિશય તફાવત માટે. ડ્રેઇન અને સ્ત્રોત વચ્ચેનો પ્રતિકાર લગભગ થોડા હજાર ઓહ્મ છે. ઇન્સ્યુલેટેડ ગેટ ટાઇપ MOSFET નો ગેટ નક્કી કરવા માટે આ પદ્ધતિનો ઉપયોગ કરી શકતા નથી. કારણ કે આ MOSFET ના ઇનપુટનો પ્રતિકાર અત્યંત ઊંચો છે, અને ગેટ અને સ્ત્રોત વચ્ચેનું આંતર-ધ્રુવીય કેપેસીટન્સ ખૂબ જ નાનું છે, તેથી ચાર્જની નાની માત્રા જેટલું માપ, આંતર-ધ્રુવીયની ટોચ પર રચી શકાય છે. અત્યંત ઊંચા વોલ્ટેજની ક્ષમતા, MOSFET નુકસાન કરવા માટે ખૂબ જ સરળ હશે.

3. MOSFET ની એમ્પ્લીફિકેશન ક્ષમતાનો અંદાજ કાઢવો

જ્યારે મલ્ટિમીટર R × 100 પર સેટ હોય, ત્યારે સ્ત્રોત S ને જોડવા માટે લાલ પેનનો ઉપયોગ કરો અને ડ્રેઇન Dને જોડવા માટે કાળી પેનનો ઉપયોગ કરો, જે MOSFET માં 1.5V વોલ્ટેજ ઉમેરવા જેવું છે. આ સમયે સોય ડીએસ ધ્રુવ વચ્ચેના પ્રતિકાર મૂલ્યને સૂચવે છે. આ સમયે એક આંગળી વડે ગેટ જી, શરીરના પ્રેરિત વોલ્ટેજને ગેટના ઇનપુટ સિગ્નલ તરીકે પિંચ કરો. MOSFET એમ્પ્લીફિકેશનની ભૂમિકાને કારણે, ID અને UDS બદલાશે, એટલે કે DS ધ્રુવ વચ્ચેનો પ્રતિકાર બદલાઈ ગયો છે, અમે અવલોકન કરી શકીએ છીએ કે સોયમાં મોટા સ્વિંગ કંપનવિસ્તાર છે. જો હાથ ગેટને પિંચ કરે છે, તો સોયનો સ્વિંગ ખૂબ જ નાનો છે, એટલે કે, MOSFET એમ્પ્લીફિકેશન ક્ષમતા પ્રમાણમાં નબળી છે; જો સોયમાં સહેજ પણ ક્રિયા ન હોય, તો તે દર્શાવે છે કે MOSFET ને નુકસાન થયું છે.