MOSFET પરીક્ષણનો પ્રવાહ

Voor de detectie van MOSFET onderscheiden vier belangrijke aspecten:MOSFET lekkage, kortsluitfouten, ontkoppeling, versterking. Als er een weerstandswaarde, mar niet gedetecteerd, MOSFET lekkage voorwaarden, die het belangrijkste onderzoek kunnen we verwijzen naar het volgende proces uit te voeren:

1, ડી લિંક ગેટ એન ડી બ્રોન વેન ડી વેરસ્ટેન્ડ વર્વિજર્ડ, ડી મલ્ટિમીટર રોડ એન ઝ્વર્ટે પેનેન ઝાલ નીટ વેરેન્ડેરેન, અલ્સ જે બીવેગેટ ડી લેક્કેજ વેરસ્ટેન્ડ ના ડી મીટર બાર જેલીડેલિજક તેરુગ નાર ઈન હોગે વેરસ્ટેન્ડ ઓફ વનઇન્ડિગ, ડેન ઇઝ ડીMOSFET lekkage; zal niet veranderen is er geen probleem;

2, zal een transmissielijn naar de MOSFET gate en bron polen met elkaar verbonden, als de digitale multimeter naald onmiddellijk terug naar oneindig, dan is de MOSFET is geen probleem;

3, de rode pen naar de bron van de MOSFET S, de zwarte pen naar de afvoer van de MOSFET, een goede meter stick markering moet geen grote armen;

4, met een weerstand van 100KΩ-200KΩ verbonden met de gate en drain, en vervolgens de rode pen aan de bron van de MOSFET S, de zwarte pen aan de drain van de MOSFET, op dit moment de waarde de waarde de waarde de markering over het algemeen zal 0 zijn, op het moment is onder de positieve elektriciteit op based van deze weerstand aan de MOSFET ગેટ batterij opladen, wat resulteert in de gate elektrisch veld, als gevolg van elektrisch veld Resulterend in geleidingsvermogen sectie de pasakrogen sectie bdronzat de pozonzat. ડિજીટલ મલ્ટિમીટર મીટર પૂલ બાયસ, બાયસ હો ગ્રોટર ડી ગેઝિચ્ટ્સહોક, હોએ હોગર હેટ લાડેન એન ઓન્ટલાડેન કેન્મેરકેન.