MOSFET ના મુખ્ય પરિમાણો અને ટ્રાયોડ્સ સાથે સરખામણી

ફિલ્ડ ઇફેક્ટ ટ્રાન્ઝિસ્ટર તરીકે સંક્ષિપ્તMOSFET.ત્યાં બે મુખ્ય પ્રકારો છે: જંકશન ફીલ્ડ ઇફેક્ટ ટ્યુબ અને મેટલ-ઓક્સાઇડ સેમિકન્ડક્ટર ફીલ્ડ ઇફેક્ટ ટ્યુબ. MOSFET એ યુનિપોલર ટ્રાન્ઝિસ્ટર તરીકે પણ ઓળખાય છે જેમાં મોટાભાગના વાહકો વાહકતા સાથે સંકળાયેલા છે. તેઓ વોલ્ટેજ-નિયંત્રિત સેમિકન્ડક્ટર ઉપકરણો છે. તેના ઉચ્ચ ઇનપુટ પ્રતિકાર, નીચા અવાજ, ઓછા પાવર વપરાશ અને અન્ય લાક્ષણિકતાઓને લીધે, તે બાયપોલર ટ્રાન્ઝિસ્ટર અને પાવર ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો મજબૂત પ્રતિસ્પર્ધી બનાવે છે.

I. MOSFET ના મુખ્ય પરિમાણો

1, ડીસી પરિમાણો

જ્યારે ગેટ અને સ્ત્રોત વચ્ચેનો વોલ્ટેજ શૂન્ય બરાબર હોય અને ડ્રેઇન અને સ્ત્રોત વચ્ચેનો વોલ્ટેજ પિંચ-ઓફ વોલ્ટેજ કરતા વધારે હોય ત્યારે સંતૃપ્તિ ડ્રેઇન કરંટને ડ્રેઇન કરંટ તરીકે વ્યાખ્યાયિત કરી શકાય છે.

પિંચ-ઓફ વોલ્ટેજ UP: જ્યારે UDS ચોક્કસ હોય ત્યારે ID ને નાના પ્રવાહમાં ઘટાડવા માટે જરૂરી UGS;

ટર્ન-ઓન વોલ્ટેજ UT: જ્યારે UDS ચોક્કસ હોય ત્યારે ID ને ચોક્કસ મૂલ્યમાં લાવવા માટે UGS જરૂરી છે.

2,AC પરિમાણો

લો-ફ્રિકવન્સી ટ્રાન્સકન્ડક્ટન્સ ગ્રામ : ડ્રેઇન કરંટ પર ગેટ અને સ્ત્રોત વોલ્ટેજની નિયંત્રણ અસરનું વર્ણન કરે છે.

ઇન્ટર-પોલ કેપેસીટન્સ: MOSFET ના ત્રણ ઇલેક્ટ્રોડ વચ્ચેની કેપેસીટન્સ, મૂલ્ય જેટલું નાનું હશે, તેટલું સારું પ્રદર્શન.

3, મર્યાદા પરિમાણો

ડ્રેઇન, સ્ત્રોત બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ: જ્યારે ડ્રેઇન વર્તમાન તીવ્રપણે વધે છે, ત્યારે તે હિમપ્રપાત ભંગાણ પેદા કરશે જ્યારે UDS.

ગેટ બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ: જંકશન ફીલ્ડ ઇફેક્ટ ટ્યુબ સામાન્ય કામગીરી, રિવર્સ બાયસ સ્થિતિમાં PN જંકશન વચ્ચેનો દરવાજો અને સ્ત્રોત, બ્રેકડાઉન પેદા કરવા માટે વર્તમાન ખૂબ મોટો છે.

II. ની લાક્ષણિકતાઓMOSFETs

MOSFET એ એમ્પ્લીફિકેશન ફંક્શન ધરાવે છે અને એમ્પ્લીફાઈડ સર્કિટ બનાવી શકે છે. ટ્રાયોડની તુલનામાં, તેની નીચેની લાક્ષણિકતાઓ છે.

(1) MOSFET એ વોલ્ટેજ નિયંત્રિત ઉપકરણ છે, અને સંભવિત UGS દ્વારા નિયંત્રિત થાય છે;

(2) MOSFET ના ઇનપુટ પરનો વર્તમાન અત્યંત નાનો છે, તેથી તેની ઇનપુટ પ્રતિકાર ખૂબ ઊંચી છે;

(3) તેની તાપમાન સ્થિરતા સારી છે કારણ કે તે વાહકતા માટે બહુમતી વાહકોનો ઉપયોગ કરે છે;

(4) તેના એમ્પ્લીફિકેશન સર્કિટનો વોલ્ટેજ એમ્પ્લીફિકેશન ગુણાંક ટ્રાયોડ કરતા નાનો છે;

(5) તે કિરણોત્સર્ગ માટે વધુ પ્રતિરોધક છે.

ત્રીજું,MOSFET અને ટ્રાન્ઝિસ્ટર સરખામણી

(1) MOSFET સ્ત્રોત, ગેટ, ડ્રેઇન અને ટ્રાયોડ સ્ત્રોત, આધાર, સેટ પોઈન્ટ પોલ સમાન ભૂમિકાને અનુરૂપ છે.

(2) MOSFET એ વોલ્ટેજ-નિયંત્રિત વર્તમાન ઉપકરણ છે, એમ્પ્લીફિકેશન ગુણાંક નાનો છે, એમ્પ્લીફિકેશન ક્ષમતા નબળી છે; ટ્રાયોડ એ વર્તમાન-નિયંત્રિત વોલ્ટેજ ઉપકરણ છે, એમ્પ્લીફિકેશન ક્ષમતા મજબૂત છે.

(3) MOSFET ગેટ મૂળભૂત રીતે કરંટ લેતો નથી; અને ટ્રાયોડ કામ કરે છે, આધાર ચોક્કસ પ્રવાહને શોષી લેશે. તેથી, MOSFET ગેટ ઇનપુટ પ્રતિકાર ટ્રાયોડ ઇનપુટ પ્રતિકાર કરતા વધારે છે.

(4) MOSFET ની વાહક પ્રક્રિયામાં પોલિટ્રોનની ભાગીદારી હોય છે, અને ટ્રાયોડમાં બે પ્રકારના વાહકોની ભાગીદારી હોય છે, પોલિટ્રોન અને ઓલિગોટ્રોન, અને તેની ઓલિગોટ્રોનની સાંદ્રતા તાપમાન, કિરણોત્સર્ગ અને અન્ય પરિબળોથી ખૂબ પ્રભાવિત થાય છે, તેથી, MOSFET ટ્રાન્ઝિસ્ટર કરતાં વધુ સારી તાપમાન સ્થિરતા અને રેડિયેશન પ્રતિકાર છે. જ્યારે પર્યાવરણીય પરિસ્થિતિઓમાં ઘણો ફેરફાર થાય ત્યારે MOSFET પસંદ કરવું જોઈએ.

(5) જ્યારે MOSFET સ્ત્રોત ધાતુ અને સબસ્ટ્રેટ સાથે જોડાયેલ હોય, ત્યારે સ્ત્રોત અને ડ્રેઇનનું વિનિમય કરી શકાય છે અને લાક્ષણિકતાઓમાં વધુ ફેરફાર થતો નથી, જ્યારે ટ્રાન્ઝિસ્ટરના કલેક્ટર અને ઉત્સર્જકનું વિનિમય કરવામાં આવે છે, ત્યારે લાક્ષણિકતાઓ અલગ હોય છે અને β મૂલ્ય ઘટાડો થાય છે.

(6) MOSFET નો અવાજ આંકડો નાનો છે.

(7) MOSFET અને triode વિવિધ એમ્પ્લીફાયર સર્કિટ્સ અને સ્વિચિંગ સર્કિટથી બનેલું હોઈ શકે છે, પરંતુ ભૂતપૂર્વ ઓછી શક્તિ, ઉચ્ચ થર્મલ સ્થિરતા, સપ્લાય વોલ્ટેજની વિશાળ શ્રેણી વાપરે છે, તેથી તેનો વ્યાપકપણે ઉપયોગ મોટા પાયે અને અલ્ટ્રા-લાર્જ સર્કિટમાં થાય છે. સ્કેલ ઇન્ટિગ્રેટેડ સર્કિટ.

(8) ટ્રાયોડનો ઓન-રેઝિસ્ટન્સ મોટો છે, અને MOSFET નો ઓન-રેઝિસ્ટન્સ નાનો છે, તેથી MOSFET નો સામાન્ય રીતે ઉચ્ચ કાર્યક્ષમતા સાથે સ્વિચ તરીકે ઉપયોગ થાય છે.