ઉન્નતીકરણ અને અવક્ષય MOSFET નું વિશ્લેષણ

ડી-એફઇટી 0 ગેટ પૂર્વગ્રહમાં છે જ્યારે ચેનલનું અસ્તિત્વ, એફઇટીનું સંચાલન કરી શકે છે; જ્યારે કોઈ ચેનલ ન હોય ત્યારે E-FET 0 ગેટ બાયસમાં હોય છે, FET ચલાવી શકતું નથી. આ બે પ્રકારના FET ની પોતાની લાક્ષણિકતાઓ અને ઉપયોગો છે. સામાન્ય રીતે, હાઇ-સ્પીડ, લો-પાવર સર્કિટ્સમાં ઉન્નત FET ખૂબ મૂલ્યવાન છે; અને આ ઉપકરણ કામ કરી રહ્યું છે, તે ગેટ બાયસ vo ની પોલેરિટી છેltage અને ડ્રેઇન સમાન વોલ્ટેજ, તે સર્કિટ ડિઝાઇનમાં વધુ અનુકૂળ છે.

 

કહેવાતા ઉન્નત અર્થો: જ્યારે VGS = 0 ટ્યુબ એ કટ-ઓફ સ્થિતિ છે, વત્તા યોગ્ય VGS, ત્યારે મોટાભાગના વાહકો ગેટ તરફ આકર્ષાય છે, આમ આ પ્રદેશમાં વાહકોને "વધારે" છે, વાહક ચેનલ બનાવે છે. n-ચેનલ ઉન્નત MOSFET એ મૂળભૂત રીતે ડાબે-જમણે સપ્રમાણ ટોપોલોજી છે, જે SiO2 ફિલ્મ ઇન્સ્યુલેશનના સ્તરના જનરેશન પર P-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટર છે. તે પી-ટાઇપ સેમિકન્ડક્ટર પર SiO2 ફિલ્મનું ઇન્સ્યુલેટીંગ લેયર જનરેટ કરે છે અને પછી બે અત્યંત ડોપેડ N-ટાઇપ પ્રદેશોને વિખેરી નાખે છે.ફોટોલિથોગ્રાફી, અને N-પ્રકારના પ્રદેશમાંથી લીડ્સ ઇલેક્ટ્રોડ્સ, એક ડ્રેઇન D માટે અને એક સ્ત્રોત S માટે. એલ્યુમિનિયમ ધાતુનો એક સ્તર સ્ત્રોત અને ડ્રેઇન વચ્ચેના ઇન્સ્યુલેટીંગ સ્તર પર ગેટ G તરીકે પ્લેટેડ છે. જ્યારે VGS = 0 V , ડ્રેઇન અને સ્ત્રોત વચ્ચે બેક-ટુ-બેક ડાયોડ્સ સાથે થોડા ડાયોડ્સ છે અને D અને S વચ્ચેનો વોલ્ટેજ D અને S વચ્ચેનો પ્રવાહ નથી બનાવતો. D અને S વચ્ચેનો પ્રવાહ લાગુ કરાયેલા વોલ્ટેજ દ્વારા રચાયો નથી. .

 

જ્યારે ગેટ વોલ્ટેજ ઉમેરવામાં આવે છે, જો 0 < VGS < VGS(th), ગેટ અને સબસ્ટ્રેટ વચ્ચે રચાયેલા કેપેસિટીવ ઇલેક્ટ્રિક ફિલ્ડ દ્વારા, ગેટના તળિયે નજીકના પી-ટાઇપ સેમિકન્ડક્ટરમાં પોલિઓન છિદ્રો નીચે તરફ ભગાડવામાં આવે છે, અને નકારાત્મક આયનોનો પાતળો અવક્ષય સ્તર દેખાય છે; તે જ સમયે, તે સપાટીના સ્તર પર જવા માટે તેમાંના ઓલિગોન્સને આકર્ષિત કરશે, પરંતુ સંખ્યા મર્યાદિત છે અને વાહક ચેનલ બનાવવા માટે અપૂરતી છે જે ડ્રેઇન અને સ્ત્રોતનો સંપર્ક કરે છે, તેથી તે હજુ પણ ડ્રેઇન વર્તમાન IDની રચના માટે અપૂરતી છે. વધુ વધારો VGS, જ્યારે VGS > VGS (th) (VGS (th) ને ટર્ન-ઓન વોલ્ટેજ કહેવામાં આવે છે), કારણ કે આ સમયે ગેટ વોલ્ટેજ પ્રમાણમાં મજબૂત હોય છે, P-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટર સપાટીના સ્તરમાં ગેટની નીચે ગેટની નીચેની બાજુમાં વધુ એકત્ર થાય છે. ઇલેક્ટ્રોન, તમે ખાઈ, ગટર અને સંચારનો સ્ત્રોત બનાવી શકો છો. જો આ સમયે ડ્રેઇન સ્ત્રોત વોલ્ટેજ ઉમેરવામાં આવે છે, તો ડ્રેઇન વર્તમાન ID બનાવી શકાય છે. ગેટની નીચે બનેલી વાહક ચેનલમાં ઇલેક્ટ્રોન, કારણ કે પી-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટર પોલેરિટી સાથે વાહક છિદ્ર વિરુદ્ધ છે, તેથી તેને એન્ટિ-ટાઈપ લેયર કહેવામાં આવે છે. જેમ જેમ VGS વધતું જશે તેમ ID વધતું રહેશે. ID = 0 VGS = 0V પર, અને ડ્રેઇન કરંટ VGS > VGS(th) પછી જ થાય છે, તેથી, આ પ્રકારના MOSFET ને ઉન્નતીકરણ MOSFET કહેવાય છે.

 

ડ્રેઇન કરંટ પર VGS ના નિયંત્રણ સંબંધને વળાંક iD = f(VGS(th))|VDS=const દ્વારા વર્ણવી શકાય છે, જેને ટ્રાન્સફર લાક્ષણિક વળાંક કહેવામાં આવે છે, અને ટ્રાન્સફર લાક્ષણિકતા વળાંકની ઢાળની તીવ્રતા, gm, ગેટ સ્ત્રોત વોલ્ટેજ દ્વારા ડ્રેઇન પ્રવાહના નિયંત્રણને પ્રતિબિંબિત કરે છે. gm ની તીવ્રતા mA/V છે, તેથી gm ને ટ્રાન્સકન્ડક્ટન્સ પણ કહેવામાં આવે છે.