બે મુખ્ય કારણોof MOSFET નિષ્ફળતા:
વોલ્ટેજ નિષ્ફળતા: એટલે કે, ડ્રેઇન અને સ્ત્રોત વચ્ચેનું BVdss વોલ્ટેજ રેટેડ વોલ્ટેજ કરતાં વધી જાય છે.MOSFET અને પહોંચે છે ચોક્કસ ક્ષમતા, જેના કારણે MOSFET નિષ્ફળ થાય છે.
ગેટ વોલ્ટેજ નિષ્ફળતા: ગેટ અસામાન્ય વોલ્ટેજ સ્પાઇકનો ભોગ બને છે, પરિણામે ગેટ ઓક્સિજન સ્તર નિષ્ફળ જાય છે.
સંકુચિત ખામી (વોલ્ટેજ નિષ્ફળતા)
હિમપ્રપાત નુકસાન બરાબર શું છે? સરળ શબ્દોમાં કહીએ તો,એક MOSFET બસ વોલ્ટેજ, ટ્રાન્સફોર્મર રિફ્લેક્શન વોલ્ટેજ, લિકેજ સ્પાઇક વોલ્ટેજ વગેરે અને MOSFET વચ્ચે સુપરપોઝિશન દ્વારા બનાવવામાં આવેલ નિષ્ફળતા મોડ છે. ટૂંકમાં, તે એક સામાન્ય નિષ્ફળતા છે જે ત્યારે થાય છે જ્યારે MOSFET ના ડ્રેઇન-સોર્સ પોલ પરનો વોલ્ટેજ તેના નિર્દિષ્ટ વોલ્ટેજ મૂલ્ય કરતાં વધી જાય છે અને ચોક્કસ ઉર્જા મર્યાદા સુધી પહોંચે છે.
હિમપ્રપાતથી થતા નુકસાનને રોકવા માટેના પગલાં:
- યોગ્ય રીતે ડોઝ ઓછો કરો. આ ઉદ્યોગમાં, તે સામાન્ય રીતે 80-95% દ્વારા ઘટાડવામાં આવે છે. કંપનીની વોરંટી શરતો અને રેખા પ્રાથમિકતાઓના આધારે પસંદ કરો.
- પ્રતિબિંબીત વોલ્ટેજ વાજબી છે.
-RCD, TVS શોષણ સર્કિટ ડિઝાઇન વ્યાજબી છે.
- પરોપજીવી ઇન્ડક્ટન્સને ઘટાડવા માટે ઉચ્ચ વર્તમાન વાયરિંગ શક્ય તેટલું મોટું હોવું જોઈએ.
-યોગ્ય ગેટ રેઝિસ્ટર Rg પસંદ કરો.
-જરૂરિયાત મુજબ ઉચ્ચ પાવર સપ્લાય માટે આરસી ડેમ્પિંગ અથવા ઝેનર ડાયોડ શોષણ ઉમેરો.
ગેટ વોલ્ટેજ નિષ્ફળતા
અસાધારણ રીતે ઊંચા ગ્રીડ વોલ્ટેજના ત્રણ મુખ્ય કારણો છે: ઉત્પાદન, પરિવહન અને એસેમ્બલી દરમિયાન સ્થિર વીજળી; પાવર સિસ્ટમની કામગીરી દરમિયાન સાધનો અને સર્કિટના પરોપજીવી પરિમાણો દ્વારા ઉત્પન્ન થયેલ ઉચ્ચ વોલ્ટેજ રેઝોનન્સ; અને ઉચ્ચ વોલ્ટેજ આંચકા દરમિયાન Ggd દ્વારા ગ્રીડમાં ઉચ્ચ વોલ્ટેજનું ટ્રાન્સમિશન (એક ખામી જે વીજળીની હડતાલ પરીક્ષણ દરમિયાન વધુ સામાન્ય છે).
ગેટ વોલ્ટેજની ખામીને રોકવાનાં પગલાં:
ગેટ અને સોર્સ વચ્ચે ઓવરવોલ્ટેજ પ્રોટેક્શન: જ્યારે ગેટ અને સોર્સ વચ્ચેની અવબાધ ખૂબ ઊંચી હોય છે, ત્યારે ગેટ અને સોર્સ વચ્ચેના વોલ્ટેજમાં અચાનક ફેરફાર ઇલેક્ટ્રોડ્સ વચ્ચેના કેપેસીટન્સ દ્વારા ગેટ સાથે જોડાય છે, પરિણામે ખૂબ ઊંચા UGS વોલ્ટેજ ઓવર-રેગ્યુલેશનમાં પરિણમે છે. દરવાજાના ઓવર-રેગ્યુલેશન તરફ દોરી જાય છે. કાયમી ઓક્સિડેટીવ નુકસાન. જો UGS હકારાત્મક ક્ષણિક વોલ્ટેજ પર હોય, તો ઉપકરણમાં ભૂલો પણ થઈ શકે છે. આ આધારે, ગેટ ડ્રાઇવ સર્કિટનો અવરોધ યોગ્ય રીતે ઘટાડવો જોઈએ અને ગેટ અને સ્ત્રોત વચ્ચે ડેમ્પિંગ રેઝિસ્ટર અથવા 20V સ્ટેબિલાઇઝિંગ વોલ્ટેજ જોડાયેલ હોવું જોઈએ. ઓપન ડોર ઓપરેશનને રોકવા માટે ખાસ કાળજી લેવી જોઈએ.
ડિસ્ચાર્જ ટ્યુબ વચ્ચે ઓવરવોલ્ટેજ સુરક્ષા: જો સર્કિટમાં ઇન્ડક્ટર હોય, તો જ્યારે યુનિટ બંધ હોય ત્યારે લિકેજ કરંટ (ડી/ડીટી) માં અચાનક ફેરફાર થવાના પરિણામે લિકેજ વોલ્ટેજ સપ્લાય વોલ્ટેજની ઉપર ઓવરશૂટ થાય છે, જેના કારણે યુનિટને નુકસાન થાય છે. પ્રોટેક્શનમાં ઝેનર ક્લેમ્પ, આરસી ક્લેમ્પ અથવા આરસી સપ્રેશન સર્કિટનો સમાવેશ થવો જોઈએ.
પોસ્ટ સમય: જુલાઈ-17-2024
