MOSFETs કેવી રીતે કામ કરે છે?

1, MOSFETપરિચય

ફીલ્ડ ઇફેક્ટ ટ્રાન્ઝિસ્ટર સંક્ષિપ્ત (FET)) શીર્ષક MOSFET. ગરમીના વહનમાં ભાગ લેવા માટે ઓછી સંખ્યામાં વાહકો દ્વારા, જેને મલ્ટી-પોલ ટ્રાંઝિસ્ટર તરીકે પણ ઓળખવામાં આવે છે. તે વોલ્ટેજ માસ્ટરિંગ પ્રકારના અર્ધ-સુપરકન્ડક્ટર મિકેનિઝમથી સંબંધિત છે. આઉટપુટ રેઝિસ્ટન્સ વધારે છે (10^8 ~ 10^9Ω), ઓછો અવાજ, ઓછો પાવર વપરાશ, સ્ટેટિક રેન્જ, એકીકૃત કરવા માટે સરળ, બીજી કોઈ બ્રેકડાઉનની ઘટના નથી, દરિયાઈ વિસ્તારના વીમા કાર્ય અને અન્ય ફાયદાઓ હવે બદલાઈ ગયા છે. મજબૂત સહયોગીઓના બાયપોલર ટ્રાન્ઝિસ્ટર અને પાવર જંકશન ટ્રાન્ઝિસ્ટર.

 

2, MOSFET લાક્ષણિકતાઓ

1, MOSFET એ વોલ્ટેજ કંટ્રોલ ડિવાઇસ છે, તે VGS (ગેટ સોર્સ વોલ્ટેજ) કંટ્રોલ ID (ડ્રેન ડીસી) દ્વારા;

2, MOSFET નાઆઉટપુટ ડીસી પોલ નાનો છે, તેથી આઉટપુટ પ્રતિકાર મોટો છે.

3, તે ગરમીનું સંચાલન કરવા માટે થોડી સંખ્યામાં વાહકોનો ઉપયોગ છે, તેથી તેની પાસે સ્થિરતાનું વધુ સારું માપ છે;

4, તે વિદ્યુત ઘટાડા ગુણાંકનો ઘટાડો પાથ સમાવે છે જે triode ઘટાડો ગુણાંક ના ઘટાડા પાથ સમાવે કરતાં નાની છે;

5, MOSFET વિરોધી ઇરેડિયેશન ક્ષમતા;

6, અવાજના છૂટાછવાયા કણોને કારણે ઓલિગોન વિક્ષેપની ખામીયુક્ત પ્રવૃત્તિની ગેરહાજરીને કારણે, તેથી અવાજ ઓછો છે.

 

3, MOSFET કાર્ય સિદ્ધાંત

MOSFET નાઓપરેટિંગ સિદ્ધાંત એક વાક્યમાં, "ડ્રેન - ગેટ માટેની ચેનલમાંથી વહેતી ID અને ગેટ વોલ્ટેજ માસ્ટર IDના વિપરીત પૂર્વગ્રહ દ્વારા રચાયેલી pn જંકશન વચ્ચેની ચેનલ વચ્ચેનો સ્ત્રોત" છે, ચોક્કસ રીતે, ID પહોળાઈમાંથી વહે છે. પાથનો, એટલે કે, ચેનલ ક્રોસ-સેક્શનલ એરિયા, એ pn જંકશનના રિવર્સ બાયસમાં ફેરફાર છે, જે ડિપ્લેશન લેયરનું નિર્માણ કરે છે વિસ્તૃત ભિન્નતા નિયંત્રણનું કારણ. VGS=0 ના બિન-સંતૃપ્ત સમુદ્રમાં, સંક્રમણ સ્તરનું વિસ્તરણ ખૂબ મોટું ન હોવાથી, ડ્રેઇન-સ્રોત વચ્ચે VDS ના ચુંબકીય ક્ષેત્રના ઉમેરા અનુસાર, સ્ત્રોત સમુદ્રમાં કેટલાક ઇલેક્ટ્રોન દ્વારા ખેંચવામાં આવે છે. ડ્રેઇન, એટલે કે, ડ્રેઇનથી સ્ત્રોત સુધી DC ID પ્રવૃત્તિ છે. ગેટથી ડ્રેઇન સુધી વિસ્તૃત કરેલ મધ્યમ સ્તર ચેનલના આખા ભાગને બ્લોકીંગ પ્રકાર, ID ફુલ બનાવે છે. આ ફોર્મને પિંચ-ઓફ કહે છે. ડીસી પાવરને કાપી નાખવાને બદલે સમગ્ર અવરોધની ચેનલમાં સંક્રમણ સ્તરનું પ્રતીક બનાવે છે.

 

કારણ કે સંક્રમણ સ્તરમાં ઇલેક્ટ્રોન અને છિદ્રોની કોઈ મુક્ત હિલચાલ નથી, તે આદર્શ સ્વરૂપમાં લગભગ અવાહક ગુણધર્મો ધરાવે છે, અને સામાન્ય પ્રવાહને વહેવા માટે તે મુશ્કેલ છે. પરંતુ પછી ડ્રેઇન વચ્ચેનું ઇલેક્ટ્રિક ક્ષેત્ર - સ્ત્રોત, હકીકતમાં, બે સંક્રમણ સ્તર નીચેના ભાગની નજીક ડ્રેઇન અને ગેટ પોલનો સંપર્ક કરે છે, કારણ કે ડ્રિફ્ટ ઇલેક્ટ્રિક ક્ષેત્ર સંક્રમણ સ્તર દ્વારા હાઇ-સ્પીડ ઇલેક્ટ્રોનને ખેંચે છે. ડ્રિફ્ટ ફીલ્ડની તીવ્રતા ID દ્રશ્યની સંપૂર્ણતા ઉત્પન્ન કરતી લગભગ સતત છે.

 

સર્કિટ ઉન્નત P-ચેનલ MOSFET અને ઉન્નત એન-ચેનલ MOSFET ના સંયોજનનો ઉપયોગ કરે છે. જ્યારે ઇનપુટ ઓછું હોય છે, ત્યારે P-ચેનલ MOSFET કરે છે અને આઉટપુટ પાવર સપ્લાયના હકારાત્મક ટર્મિનલ સાથે જોડાયેલ છે. જ્યારે ઇનપુટ વધારે હોય છે, ત્યારે N-ચેનલ MOSFET કંડક્ટ કરે છે અને આઉટપુટ પાવર સપ્લાય ગ્રાઉન્ડ સાથે જોડાયેલ હોય છે. આ સર્કિટમાં, પી-ચેનલ MOSFET અને N-ચેનલ MOSFET હંમેશા વિરુદ્ધ સ્થિતિમાં કાર્ય કરે છે, તેમના તબક્કાના ઇનપુટ્સ અને આઉટપુટ વિપરીત છે.