nMOSFETs અને pMOSFETs કેવી રીતે નક્કી કરવા

I. વર્તમાન પ્રવાહની દિશા અનુસાર

NMOSFET：જ્યારે પ્રવાહ સ્ત્રોત (S) થી ડ્રેઇન (D) તરફ વહે છે, ત્યારે MOSFET એ NMOSFET છે NMOSFET માં, સ્ત્રોત અને ડ્રેઇન એ n-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર છે અને ગેટ એ p-પ્રકાર સેમિકન્ડક્ટર છે. જ્યારે ગેટ વોલ્ટેજ સ્ત્રોતના સંદર્ભમાં સકારાત્મક હોય છે, ત્યારે સેમિકન્ડક્ટરની સપાટી પર n-પ્રકારની વાહક ચેનલ રચાય છે, જે ઇલેક્ટ્રોનને સ્ત્રોતમાંથી ડ્રેઇન તરફ વહેવા દે છે.

PMOSFET：MOSFET એ PMOSFET છે જ્યારે પ્રવાહ ડ્રેઇન (D) થી સ્ત્રોત (S) તરફ વહે છે. PMOSFET માં, સ્ત્રોત અને ડ્રેઇન બંને p-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટર છે અને ગેટ એ n-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટર છે. જ્યારે ગેટ વોલ્ટેજ સ્ત્રોતના સંદર્ભમાં નકારાત્મક હોય છે, ત્યારે સેમિકન્ડક્ટરની સપાટી પર પી-ટાઇપ વાહક ચેનલ રચાય છે, જે છિદ્રોને સ્ત્રોતમાંથી ડ્રેઇન તરફ વહેવા દે છે (નોંધ કરો કે પરંપરાગત વર્ણનમાં આપણે હજી પણ કહીએ છીએ કે વર્તમાન D થી S સુધી જાય છે, પરંતુ તે વાસ્તવમાં તે દિશા છે જેમાં છિદ્રો ખસે છે).

*** www.DeepL.com/Translator (મફત સંસ્કરણ) સાથે અનુવાદિત ***

II. પરોપજીવી ડાયોડ દિશા અનુસાર

NMOSFET：જ્યારે પરોપજીવી ડાયોડ સ્ત્રોત (S) થી ડ્રેઇન (D) તરફ નિર્દેશ કરે છે, ત્યારે તે NMOSFET છે. પરોપજીવી ડાયોડ એ MOSFET ની અંદરની આંતરિક રચના છે, અને તેની દિશા અમને MOSFET નો પ્રકાર નક્કી કરવામાં મદદ કરી શકે છે.

PMOSFET：પરોપજીવી ડાયોડ એ PMOSFET છે જ્યારે તે ડ્રેઇન (D) થી સ્ત્રોત (S) તરફ નિર્દેશ કરે છે.

III. નિયંત્રણ ઇલેક્ટ્રોડ વોલ્ટેજ અને વિદ્યુત વાહકતા વચ્ચેના સંબંધ અનુસાર

NMOSFET：જ્યારે ગેટ વોલ્ટેજ સ્ત્રોત વોલ્ટેજના સંદર્ભમાં હકારાત્મક હોય ત્યારે NMOSFET હાથ ધરે છે. આનું કારણ એ છે કે પોઝિટિવ ગેટ વોલ્ટેજ સેમિકન્ડક્ટર સપાટી પર n-પ્રકારની વાહક ચેનલો બનાવે છે, જે ઇલેક્ટ્રોનને વહેવા દે છે.

PMOSFET：જ્યારે ગેટ વોલ્ટેજ સ્ત્રોત વોલ્ટેજના સંદર્ભમાં નકારાત્મક હોય ત્યારે PMOSFET હાથ ધરે છે. નેગેટિવ ગેટ વોલ્ટેજ સેમિકન્ડક્ટર સપાટી પર પી-ટાઈપ વાહક ચેનલ બનાવે છે, જે છિદ્રોને વહેવા દે છે (અથવા D થી S સુધી પ્રવાહ વહેવા માટે).

IV. ચુકાદાની અન્ય સહાયક પદ્ધતિઓ

ઉપકરણ ચિહ્નો જુઓ:કેટલાક MOSFETs પર, ત્યાં માર્કિંગ અથવા મોડેલ નંબર હોઈ શકે છે જે તેના પ્રકારને ઓળખે છે, અને સંબંધિત ડેટાશીટની સલાહ લઈને, તમે પુષ્ટિ કરી શકો છો કે તે NMOSFET છે કે PMOSFET.

પરીક્ષણ સાધનોનો ઉપયોગ:મલ્ટિમીટર જેવા પરીક્ષણ સાધનો દ્વારા MOSFET ના પિન પ્રતિકાર અથવા તેના વહનને વિવિધ વોલ્ટેજ પર માપવા પણ તેનો પ્રકાર નક્કી કરવામાં મદદ કરી શકે છે.

સારાંશમાં, NMOSFETs અને PMOSFETs નો નિર્ણય મુખ્યત્વે વર્તમાન પ્રવાહની દિશા, પરોપજીવી ડાયોડ દિશા, કંટ્રોલ ઇલેક્ટ્રોડ વોલ્ટેજ અને વાહકતા વચ્ચેનો સંબંધ, તેમજ ઉપકરણના માર્કિંગ અને પરીક્ષણ સાધનોના ઉપયોગની તપાસ દ્વારા કરી શકાય છે. પ્રાયોગિક એપ્લિકેશનમાં, ચોક્કસ પરિસ્થિતિ અનુસાર યોગ્ય નિર્ણય પદ્ધતિ પસંદ કરી શકાય છે.