મોટા પેકેજ MOSFET ડ્રાઈવર સર્કિટ

સૌ પ્રથમ, MOSFET પ્રકાર અને માળખું,MOSFETએક FET છે (બીજું JFET છે), ઉન્નત અથવા અવક્ષય પ્રકાર, P-ચેનલ અથવા N-ચેનલ કુલ ચાર પ્રકારોમાં ઉત્પાદન કરી શકાય છે, પરંતુ માત્ર ઉન્નત એન-ચેનલ MOSFETs અને ઉન્નત P-ચેનલ MOSFETsનો વાસ્તવિક ઉપયોગ, તેથી સામાન્ય રીતે NMOS તરીકે ઓળખવામાં આવે છે અથવા PMOS આ બે પ્રકારનો સંદર્ભ આપે છે. આ બે પ્રકારના ઉન્નત MOSFETs માટે, NMOS નો વધુ ઉપયોગ થાય છે, તેનું કારણ એ છે કે ઓન-રેઝિસ્ટન્સ નાની છે, અને ઉત્પાદનમાં સરળ છે. તેથી, NMOS નો ઉપયોગ સામાન્ય રીતે પાવર સપ્લાય અને મોટર ડ્રાઇવ એપ્લિકેશનને બદલવામાં થાય છે.

નીચેના પરિચયમાં, મોટાભાગના કેસો NMOS દ્વારા પ્રભુત્વ ધરાવે છે. MOSFET ની ત્રણ પિન વચ્ચે પરોપજીવી કેપેસિટીન્સ અસ્તિત્વમાં છે, એક લક્ષણ કે જેની જરૂર નથી પરંતુ ઉત્પાદન પ્રક્રિયાની મર્યાદાઓને કારણે ઊભી થાય છે. પરોપજીવી કેપેસીટન્સની હાજરી ડ્રાઇવર સર્કિટને ડિઝાઇન અથવા પસંદ કરવાનું થોડું મુશ્કેલ બનાવે છે. ડ્રેઇન અને સ્ત્રોત વચ્ચે પરોપજીવી ડાયોડ છે. તેને બોડી ડાયોડ કહેવામાં આવે છે અને તે મોટર્સ જેવા ઇન્ડક્ટિવ લોડને ચલાવવામાં મહત્વપૂર્ણ છે. માર્ગ દ્વારા, બોડી ડાયોડ ફક્ત વ્યક્તિગત MOSFET માં હાજર હોય છે અને સામાન્ય રીતે IC ચિપની અંદર હાજર હોતું નથી.

 

MOSFETસ્વિચિંગ ટ્યુબ લોસ, પછી ભલે તે NMOS હોય કે PMOS, ઓન-રેઝિસ્ટન્સનું વહન અસ્તિત્વમાં હોય, જેથી વર્તમાન આ પ્રતિકારમાં ઊર્જાનો વપરાશ કરશે, વપરાશ કરેલ ઊર્જાના આ ભાગને વહન નુકશાન કહેવાય છે. નીચા ઓન-રેઝિસ્ટન્સ સાથે MOSFET ની પસંદગી ઓન-રેઝિસ્ટન્સ નુકશાનને ઘટાડશે. આજકાલ, લો-પાવર MOSFETs નો ઓન-રેઝિસ્ટન્સ સામાન્ય રીતે દસ મિલીઓહમ્સની આસપાસ હોય છે, અને થોડા મિલિઓહમ્સ પણ ઉપલબ્ધ હોય છે. MOSFETs જ્યારે ચાલુ હોય અને બંધ હોય ત્યારે ત્વરિતમાં પૂર્ણ થવું જોઈએ નહીં. અહીં વોલ્ટેજ ઘટાડવાની પ્રક્રિયા છે. MOSFET ના બે છેડા, અને તેમાંથી વહેતા પ્રવાહને વધારવાની પ્રક્રિયા છે. આ સમયગાળા દરમિયાન, MOSFET ની ખોટ એ વોલ્ટેજ અને વર્તમાનનું ઉત્પાદન છે, જેને સ્વિચિંગ લોસ કહેવામાં આવે છે. સામાન્ય રીતે સ્વિચિંગ નુકશાન વહન નુકશાન કરતા ઘણું મોટું હોય છે, અને સ્વિચિંગ આવર્તન જેટલી ઝડપી હોય છે, તેટલું મોટું નુકસાન. વહનની ક્ષણે વોલ્ટેજ અને વર્તમાનનું ઉત્પાદન ખૂબ મોટું છે, પરિણામે મોટા નુકસાન થાય છે. સ્વિચિંગનો સમય ટૂંકો કરવાથી દરેક વહન પર થતા નુકસાનમાં ઘટાડો થાય છે; સ્વિચિંગ ફ્રીક્વન્સી ઘટાડવાથી યુનિટ સમય દીઠ સ્વિચની સંખ્યા ઓછી થાય છે. આ બંને અભિગમો સ્વિચિંગ નુકસાન ઘટાડે છે.

દ્વિધ્રુવી ટ્રાન્ઝિસ્ટરની તુલનામાં, સામાન્ય રીતે એવું માનવામાં આવે છે કે એ બનાવવા માટે કોઈ પ્રવાહની જરૂર નથીMOSFETઆચાર, જ્યાં સુધી GS વોલ્ટેજ ચોક્કસ મૂલ્યથી ઉપર હોય. આ કરવું સરળ છે, જો કે, અમને ઝડપની પણ જરૂર છે. જેમ તમે MOSFET ની રચનામાં જોઈ શકો છો, GS, GD વચ્ચે પરોપજીવી કેપેસિટીન્સ છે અને MOSFET નું ડ્રાઇવિંગ, અસરમાં, કેપેસીટન્સનું ચાર્જિંગ અને ડિસ્ચાર્જિંગ છે. કેપેસિટરને ચાર્જ કરવા માટે કરંટની જરૂર પડે છે, કારણ કે કેપેસિટરને તુરંત ચાર્જ કરવું એ શોર્ટ સર્કિટ તરીકે જોઈ શકાય છે, તેથી તાત્કાલિક પ્રવાહ વધારે હશે. MOSFET ડ્રાઇવરને પસંદ કરતી વખતે/ડિઝાઇન કરતી વખતે સૌપ્રથમ ધ્યાન આપવાની બાબત એ તાત્કાલિક શોર્ટ-સર્કિટ કરંટનું કદ છે જે પ્રદાન કરી શકાય છે.

નોંધનીય બીજી બાબત એ છે કે, સામાન્ય રીતે હાઇ-એન્ડ ડ્રાઇવ NMOS માં ઉપયોગમાં લેવાતી, ઓન-ટાઇમ ગેટ વોલ્ટેજ સ્ત્રોત વોલ્ટેજ કરતા વધારે હોવું જરૂરી છે. સ્ત્રોત વોલ્ટેજ પર હાઇ-એન્ડ ડ્રાઇવ MOSFET અને ડ્રેઇન વોલ્ટેજ (VCC) સમાન છે, તેથી પછી VCC 4V અથવા 10V કરતાં ગેટ વોલ્ટેજ. જો એ જ સિસ્ટમમાં, VCC કરતા મોટો વોલ્ટેજ મેળવવા માટે, આપણે બુસ્ટ સર્કિટમાં વિશેષતા મેળવવી જરૂરી છે. ઘણા મોટર ડ્રાઈવરો પાસે ઈન્ટિગ્રેટેડ ચાર્જ પંપ હોય છે, એ નોંધવું અગત્યનું છે કે તમારે MOSFET ચલાવવા માટે પૂરતો શોર્ટ-સર્કિટ કરંટ મેળવવા માટે યોગ્ય બાહ્ય કેપેસિટેન્સ પસંદ કરવી જોઈએ. 4V અથવા 10V એ વોલ્ટેજ પર સામાન્ય રીતે ઉપયોગમાં લેવાતું MOSFET છે, અલબત્ત, તમારે ચોક્કસ માર્જિન હોવું જરૂરી છે. વોલ્ટેજ જેટલું ઊંચું હશે, તેટલી ઝડપી ઓન-સ્ટેટ સ્પીડ અને ઓછી ઓન-સ્ટેટ રેઝિસ્ટન્સ. હવે વિવિધ ક્ષેત્રોમાં નાના ઓન-સ્ટેટ વોલ્ટેજ MOSFETsનો પણ ઉપયોગ થાય છે, પરંતુ 12V ઓટોમોટિવ ઇલેક્ટ્રોનિક્સ સિસ્ટમમાં, સામાન્ય રીતે 4V ઓન-સ્ટેટ પર્યાપ્ત છે. MOSFET ની સૌથી નોંધપાત્ર વિશેષતા એ સારાની સ્વિચિંગ લાક્ષણિકતાઓ છે, તેથી તેનો વ્યાપકપણે ઉપયોગ થાય છે. ઇલેક્ટ્રોનિક સ્વિચિંગ સર્કિટની જરૂર છે, જેમ કે સ્વિચિંગ પાવર સપ્લાય અને મોટર ડ્રાઇવ, પણ લાઇટિંગ ડિમિંગ. કંડક્ટિંગનો અર્થ છે સ્વીચ તરીકે કામ કરવું, જે સ્વીચ ક્લોઝરની સમકક્ષ છે. NMOS લાક્ષણિકતાઓ, ચોક્કસ મૂલ્ય કરતાં વધુ Vgs સંચાલન કરશે, જ્યારે સ્ત્રોત ગ્રાઉન્ડેડ હોય (લો-એન્ડ ડ્રાઇવ), જ્યાં સુધી ગેટ હોય ત્યાં સુધી ઉપયોગ માટે યોગ્ય. 4V અથવા 10V.PMOS લાક્ષણિકતાઓનું વોલ્ટેજ, ચોક્કસ મૂલ્ય કરતાં ઓછું Vgs સંચાલન કરશે, જ્યારે સ્ત્રોત VCC (હાઇ-એન્ડ ડ્રાઇવ) સાથે જોડાયેલ હોય ત્યારે તે કિસ્સામાં ઉપયોગ માટે યોગ્ય છે. જો કે, જો કે PMOS નો ઉપયોગ હાઈ એન્ડ ડ્રાઈવર તરીકે સરળતાથી થઈ શકે છે, NMOS નો ઉપયોગ સામાન્ય રીતે હાઈ એન્ડ ડ્રાઈવરોમાં થાય છે કારણ કે મોટી ઓન-રેઝિસ્ટન્સ, ઊંચી કિંમત અને થોડા રિપ્લેસમેન્ટ પ્રકારો.

હવે MOSFET ડ્રાઇવ લો-વોલ્ટેજ એપ્લીકેશન, જ્યારે 5V પાવર સપ્લાયનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે, તો આ વખતે જો તમે પરંપરાગત ટોટેમ પોલ સ્ટ્રક્ચરનો ઉપયોગ કરો છો, તો ટ્રાંઝિસ્ટરને કારણે લગભગ 0.7V વોલ્ટેજ ડ્રોપ થશે, પરિણામે વાસ્તવિક ફાઇનલમાં ગેટ પર ઉમેરવામાં આવશે. વોલ્ટેજ માત્ર 4.3 V છે. આ સમયે, અમે ચોક્કસ જોખમોના અસ્તિત્વ પર MOSFET ના 4.5V નો નજીવો ગેટ વોલ્ટેજ પસંદ કરીએ છીએ. આ જ સમસ્યા 3V અથવા અન્ય લો-વોલ્ટેજ પાવર સપ્લાય પ્રસંગોના ઉપયોગમાં જોવા મળે છે. કેટલાક કંટ્રોલ સર્કિટમાં ડ્યુઅલ વોલ્ટેજનો ઉપયોગ થાય છે જ્યાં લોજિક વિભાગ લાક્ષણિક 5V અથવા 3.3V ડિજિટલ વોલ્ટેજનો ઉપયોગ કરે છે અને પાવર વિભાગ 12V અથવા તેનાથી પણ વધુનો ઉપયોગ કરે છે. બે વોલ્ટેજ સામાન્ય જમીનનો ઉપયોગ કરીને જોડાયેલા છે. આ એવા સર્કિટનો ઉપયોગ કરવાની જરૂરિયાત મૂકે છે જે નીચા વોલ્ટેજ બાજુને ઉચ્ચ વોલ્ટેજ બાજુ પર MOSFET ને અસરકારક રીતે નિયંત્રિત કરવા માટે પરવાનગી આપે છે, જ્યારે ઉચ્ચ વોલ્ટેજ બાજુ પર MOSFET 1 અને 2 માં દર્શાવેલ સમાન સમસ્યાઓનો સામનો કરશે. ત્રણેય કિસ્સાઓમાં, ટોટેમ પોલ સ્ટ્રક્ચર આઉટપુટ જરૂરિયાતોને પૂર્ણ કરી શકતું નથી, અને ઘણા ઑફ-ધ-શેલ્ફ MOSFET ડ્રાઇવર IC માં ગેટ વોલ્ટેજ લિમિટિંગ સ્ટ્રક્ચર શામેલ હોય તેવું લાગતું નથી. ઇનપુટ વોલ્ટેજ એ નિશ્ચિત મૂલ્ય નથી, તે સમય અથવા અન્ય પરિબળો સાથે બદલાય છે. આ ભિન્નતા PWM સર્કિટ દ્વારા MOSFET ને આપવામાં આવેલ ડ્રાઈવ વોલ્ટેજ અસ્થિર થવાનું કારણ બને છે. MOSFET ને ઉચ્ચ ગેટ વોલ્ટેજથી સુરક્ષિત બનાવવા માટે, ઘણા MOSFET માં ગેટ વોલ્ટેજના કંપનવિસ્તારને બળપૂર્વક મર્યાદિત કરવા માટે બિલ્ટ-ઇન વોલ્ટેજ રેગ્યુલેટર હોય છે.

 

આ કિસ્સામાં, જ્યારે આપવામાં આવેલ ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ રેગ્યુલેટરના વોલ્ટેજ કરતાં વધી જાય છે, ત્યારે તે મોટા પ્રમાણમાં સ્થિર વીજ વપરાશનું કારણ બનશે તે જ સમયે, જો તમે ગેટ વોલ્ટેજ ઘટાડવા માટે રેઝિસ્ટર વોલ્ટેજ વિભાજકના સિદ્ધાંતનો ઉપયોગ કરો છો, તો ત્યાં પ્રમાણમાં વધારો થશે. ઉચ્ચ ઇનપુટ વોલ્ટેજ, MOSFET સારી રીતે કામ કરે છે, જ્યારે ઇનપુટ વોલ્ટેજમાં ઘટાડો થાય છે જ્યારે ગેટ વોલ્ટેજ અપૂરતું સંપૂર્ણ વહન કરવા માટે અપૂરતું હોય છે, આમ વીજ વપરાશમાં વધારો થાય છે.

સાપેક્ષ રીતે સામાન્ય સર્કિટ અહીં ફક્ત NMOS ડ્રાઇવર સર્કિટ માટે સરળ વિશ્લેષણ કરવા માટે છે: Vl અને Vh અનુક્રમે લો-એન્ડ અને હાઇ-એન્ડ પાવર સપ્લાય છે, બે વોલ્ટેજ સમાન હોઈ શકે છે, પરંતુ Vl Vh કરતાં વધુ ન હોવો જોઈએ. Q1 અને Q2 એક ઇન્વર્ટેડ ટોટેમ પોલ બનાવે છે, જેનો ઉપયોગ અલગતા હાંસલ કરવા માટે થાય છે, અને તે જ સમયે તેની ખાતરી કરવા માટે કે બે ડ્રાઇવર ટ્યુબ Q3 અને Q4 એક જ સમયે ચાલુ રહેશે નહીં. R2 અને R3 PWM વોલ્ટેજ સંદર્ભ પ્રદાન કરે છે, અને આ સંદર્ભને બદલીને, તમે સર્કિટને સારી રીતે કાર્ય કરી શકો છો, અને ગેટ વોલ્ટેજ સંપૂર્ણ વહન કરવા માટે પૂરતું નથી, આમ પાવર વપરાશમાં વધારો થાય છે. R2 અને R3 PWM વોલ્ટેજ સંદર્ભ પૂરો પાડે છે, આ સંદર્ભને બદલીને, તમે PWM સિગ્નલ વેવફોર્મમાં સર્કિટને પ્રમાણમાં બેહદ અને સીધી સ્થિતિમાં કામ કરવા દો છો. Q3 અને Q4 નો ઉપયોગ ડ્રાઇવ કરંટ પૂરો પાડવા માટે થાય છે, સમયસર હોવાને કારણે, Vh અને GND ને સંબંધિત Q3 અને Q4 એ Vce વોલ્ટેજ ડ્રોપનો માત્ર એક ન્યુનત્તમ છે, આ વોલ્ટેજ ડ્રોપ સામાન્ય રીતે માત્ર 0.3V અથવા તેથી વધુ હોય છે. 0.7V કરતાં Vce R5 અને R6 એ ગેટ વોલ્ટેજ સેમ્પલિંગ માટે ફીડબેક રેઝિસ્ટર છે, વોલ્ટેજનું સેમ્પલિંગ કર્યા પછી, ગેટના વોલ્ટેજનો ઉપયોગ ગેટ વોલ્ટેજના ફીડબેક રેઝિસ્ટર તરીકે થાય છે, અને સેમ્પલના વોલ્ટેજનો ઉપયોગ ગેટ વોલ્ટેજ માટે થાય છે. R5 અને R6 એ ફીડબેક રેઝિસ્ટર છે જેનો ઉપયોગ ગેટ વોલ્ટેજના નમૂના માટે કરવામાં આવે છે, જે Q1 અને Q2 ના પાયા પર મજબૂત નકારાત્મક પ્રતિસાદ બનાવવા માટે Q5માંથી પસાર થાય છે, આમ ગેટ વોલ્ટેજને મર્યાદિત મૂલ્ય સુધી મર્યાદિત કરે છે. આ મૂલ્ય R5 અને R6 દ્વારા એડજસ્ટ કરી શકાય છે. છેલ્લે, R1 એ Q3 અને Q4 માટે બેઝ કરંટની મર્યાદા પૂરી પાડે છે, અને R4 MOSFET ને ગેટ કરંટની મર્યાદા પૂરી પાડે છે, જે Q3Q4 ના બરફની મર્યાદા છે. જો જરૂરી હોય તો, પ્રવેગક કેપેસિટરને R4 ઉપર સમાંતરમાં જોડી શકાય છે.                                         

પોર્ટેબલ ડિવાઈસ અને વાયરલેસ પ્રોડક્ટ્સ ડિઝાઈન કરતી વખતે, પ્રોડક્ટની કામગીરીમાં સુધારો કરવો અને બૅટરી ઑપરેટિંગ સમયને લંબાવવો એ બે મુદ્દાઓ છે જે ડિઝાઇનરોને સામનો કરવાની જરૂર છે. DC-DC કન્વર્ટરમાં ઉચ્ચ કાર્યક્ષમતા, ઉચ્ચ આઉટપુટ વર્તમાન અને નીચા શાંત પ્રવાહના ફાયદા છે, જે પોર્ટેબલને પાવર કરવા માટે ખૂબ જ યોગ્ય છે. ઉપકરણો

ડીસી-ડીસી કન્વર્ટરમાં ઉચ્ચ કાર્યક્ષમતા, ઉચ્ચ આઉટપુટ વર્તમાન અને ઓછા શાંત પ્રવાહના ફાયદા છે, જે પોર્ટેબલ ઉપકરણોને પાવર કરવા માટે ખૂબ જ યોગ્ય છે. હાલમાં, ડીસી-ડીસી કન્વર્ટર ડિઝાઇન ટેક્નોલોજીના વિકાસમાં મુખ્ય વલણોમાં નીચેનાનો સમાવેશ થાય છે: ઉચ્ચ-આવર્તન તકનીક: સ્વિચિંગ ફ્રિક્વન્સીમાં વધારા સાથે, સ્વિચિંગ કન્વર્ટરનું કદ પણ ઘટાડવામાં આવ્યું છે, પાવર ઘનતા નોંધપાત્ર રીતે વધી છે, અને ગતિશીલ પ્રતિભાવ સુધારેલ છે. નાના

પાવર DC-DC કન્વર્ટર સ્વિચિંગ આવર્તન મેગાહર્ટ્ઝ સ્તર સુધી વધશે. લો આઉટપુટ વોલ્ટેજ ટેક્નોલોજી: સેમિકન્ડક્ટર મેન્યુફેક્ચરિંગ ટેક્નોલોજીના સતત વિકાસ સાથે, માઇક્રોપ્રોસેસર્સ અને પોર્ટેબલ ઇલેક્ટ્રોનિક સાધનોનું સંચાલન વોલ્ટેજ નીચું અને નીચું થઈ રહ્યું છે, જેના માટે ભવિષ્યમાં જરૂરી છે કે ડીસી-ડીસી કન્વર્ટર માઇક્રોપ્રોસેસર અને પોર્ટેબલ ઇલેક્ટ્રોનિક સાધનોને અનુકૂલન કરવા માટે નીચા આઉટપુટ વોલ્ટેજ પ્રદાન કરી શકે છે, જે ભવિષ્યમાં જરૂરી છે DC-DC કન્વર્ટર માઇક્રોપ્રોસેસરને અનુકૂલિત થવા માટે નીચા આઉટપુટ વોલ્ટેજ પ્રદાન કરી શકે છે.

માઇક્રોપ્રોસેસર્સ અને પોર્ટેબલ ઇલેક્ટ્રોનિક સાધનોને અનુકૂલન કરવા માટે નીચા આઉટપુટ વોલ્ટેજ પ્રદાન કરવા માટે પૂરતું છે. આ તકનીકી વિકાસ પાવર સપ્લાય ચિપ સર્કિટની ડિઝાઇન માટે ઉચ્ચ આવશ્યકતાઓને આગળ ધપાવે છે. સૌ પ્રથમ, વધતી સ્વિચિંગ આવર્તન સાથે, સ્વિચિંગ ઘટકોનું પ્રદર્શન આગળ મૂકવામાં આવે છે

સ્વિચિંગ તત્વની કામગીરી માટે ઉચ્ચ આવશ્યકતાઓ, અને તે સુનિશ્ચિત કરવા માટે અનુરૂપ સ્વિચિંગ તત્વ ડ્રાઇવ સર્કિટ હોવું આવશ્યક છે કે સ્વિચિંગ આવર્તનમાં સ્વિચિંગ તત્વ સામાન્ય કામગીરીના મેગાહર્ટ્ઝ સ્તર સુધી છે. બીજું, બેટરીથી ચાલતા પોર્ટેબલ ઇલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણો માટે, સર્કિટનું ઓપરેટિંગ વોલ્ટેજ ઓછું હોય છે (ઉદાહરણ તરીકે લિથિયમ બેટરીના કિસ્સામાં).

લિથિયમ બેટરી, ઉદાહરણ તરીકે, ઓપરેટિંગ વોલ્ટેજ 2.5 ~ 3.6V), તેથી નીચલા વોલ્ટેજ માટે પાવર સપ્લાય ચિપ.

MOSFET ખૂબ જ ઓછી ઓન-રેઝિસ્ટન્સ ધરાવે છે, ઓછી ઉર્જાનો વપરાશ કરે છે, વર્તમાન લોકપ્રિય ઉચ્ચ કાર્યક્ષમતા DC-DC ચિપમાં પાવર સ્વીચ તરીકે વધુ MOSFET છે. જો કે, MOSFETs ની મોટી પરોપજીવી ક્ષમતાને કારણે. આ ઉચ્ચ ઓપરેટિંગ ફ્રીક્વન્સી ડીસી-ડીસી કન્વર્ટર ડિઝાઇન કરવા માટે સ્વિચિંગ ટ્યુબ ડ્રાઇવર સર્કિટની ડિઝાઇન પર ઉચ્ચ આવશ્યકતાઓ મૂકે છે. નીચા વોલ્ટેજ ULSI ડિઝાઇનમાં મોટા કેપેસિટીવ લોડ તરીકે બુટસ્ટ્રેપ બૂસ્ટ સ્ટ્રક્ચર અને ડ્રાઇવર સર્કિટનો ઉપયોગ કરીને વિવિધ CMOS, BiCMOS લોજિક સર્કિટ છે. આ સર્કિટ 1V કરતા ઓછા વોલ્ટેજ સપ્લાયની સ્થિતિમાં યોગ્ય રીતે કામ કરવા સક્ષમ છે અને લોડ કેપેસીટન્સ 1 ~ 2pF ફ્રીક્વન્સી દસ મેગાબિટ્સ અથવા તો સેંકડો મેગાહર્ટ્ઝ સુધી પહોંચી શકે છે તેવી સ્થિતિમાં કામ કરી શકે છે. આ પેપરમાં, બુટસ્ટ્રેપ બૂસ્ટ સર્કિટનો ઉપયોગ લો-વોલ્ટેજ, ઉચ્ચ સ્વિચિંગ ફ્રીક્વન્સી બુસ્ટ ડીસી-ડીસી કન્વર્ટર ડ્રાઇવ સર્કિટ માટે યોગ્ય, મોટી લોડ કેપેસીટન્સ ડ્રાઇવ ક્ષમતાને ડિઝાઇન કરવા માટે થાય છે. હાઇ-એન્ડ MOSFETs ચલાવવા માટે લો-એન્ડ વોલ્ટેજ અને PWM. MOSFETs ની ઉચ્ચ ગેટ વોલ્ટેજ આવશ્યકતાઓને ચલાવવા માટે નાના કંપનવિસ્તાર PWM સિગ્નલ.