સેમિકન્ડક્ટર ક્ષેત્રના સૌથી મૂળભૂત ઉપકરણોમાંના એક તરીકે, MOSFET નો ઉપયોગ IC ડિઝાઇન અને બોર્ડ-સ્તરના સર્કિટ બંનેમાં વ્યાપકપણે થાય છે. હાલમાં, ખાસ કરીને ઉચ્ચ-શક્તિ સેમિકન્ડક્ટર્સના ક્ષેત્રમાં, MOSFET ની વિવિધ રચનાઓ પણ બદલી ન શકાય તેવી ભૂમિકા ભજવે છે. માટેMOSFETs, જેનું માળખું એકમાં સરળ અને જટિલનો સમૂહ કહી શકાય, સરળ તેની રચનામાં સરળ છે, જટિલ તેના ઊંડાણપૂર્વકના વિચારણાના ઉપયોગ પર આધારિત છે. રોજ-બ-રોજ માં,MOSFET ગરમીને પણ ખૂબ જ સામાન્ય પરિસ્થિતિ માનવામાં આવે છે, આપણે કારણો ક્યાંથી અને કઈ પદ્ધતિઓથી ઉકેલી શકાય તે જાણવાની જરૂર છે? હવે ચાલો આપણે સાથે મળીને સમજીએ.
I. ના કારણોMOSFET ગરમી
1, સર્કિટ ડિઝાઇનની સમસ્યા. તે MOSFET ને ઓનલાઈન સ્થિતિમાં કામ કરવા દેવાનું છે, સ્વિચિંગ સ્થિતિમાં નહીં. MOSFET ગરમ થવાનું આ એક કારણ છે. જો N-MOS સ્વિચિંગ કરે છે, તો G-સ્તરનો વોલ્ટેજ સંપૂર્ણપણે ચાલુ થવા માટે પાવર સપ્લાય કરતાં થોડો V ઊંચો હોવો જોઈએ, અને P-MOS માટે તેનાથી વિરુદ્ધ સાચું છે. સંપૂર્ણપણે ખુલ્લું નથી અને વોલ્ટેજ ડ્રોપ ખૂબ મોટો છે પરિણામે પાવર વપરાશ થાય છે, સમકક્ષ DC અવબાધ પ્રમાણમાં મોટો છે, વોલ્ટેજ ડ્રોપ વધે છે, તેથી U * I પણ વધે છે, નુકસાન એટલે ગરમી.
2, આવર્તન ખૂબ વધારે છે. મુખ્યત્વે ક્યારેક વોલ્યુમ માટે ખૂબ વધારે છે, પરિણામે આવર્તનમાં વધારો થાય છે, MOSFET નુકશાન વધે છે, જે MOSFET હીટિંગ તરફ દોરી જાય છે.
3, વર્તમાન ખૂબ વધારે છે. જ્યારે ID મહત્તમ વર્તમાન કરતા ઓછું હોય છે, ત્યારે તે MOSFET ને પણ ગરમ કરવા માટેનું કારણ બનશે.
4, MOSFET મોડેલની પસંદગી ખોટી છે. MOSFET ના આંતરિક પ્રતિકારને સંપૂર્ણ રીતે ધ્યાનમાં લેવામાં આવતું નથી, પરિણામે સ્વિચિંગ અવરોધ વધે છે.二,
MOSFET ની તીવ્ર ગરમી પેદા કરવા માટેનો ઉકેલ
1, MOSFET ની હીટ સિંક ડિઝાઇન પર સારું કામ કરો.
2, પૂરતી સહાયક હીટ સિંક ઉમેરો.
3, હીટ સિંક એડહેસિવ પેસ્ટ કરો.
પોસ્ટ સમય: મે-19-2024
