ના મુખ્ય પરિમાણો ઘણા પ્રકારના હોય છેMOSFET, જેમાં DC કરંટ, AC વર્તમાન પરિમાણો અને મર્યાદા પરિમાણો હોય છે, પરંતુ સામાન્ય એપ્લિકેશનને ફક્ત નીચેના મૂળભૂત પરિમાણોની કાળજી લેવાની જરૂર છે: લિકેજ સ્ત્રોત વર્તમાન IDSS પિંચ-ઓફ વોલ્ટેજ અપ, ટ્રાન્સકન્ડક્ટન્સ ગ્રામ, લિકેજ સ્ત્રોત બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ BUDS, મોટા નુકશાન આઉટપુટ પાવર PDSM અને મોટા લિકેજ સ્ત્રોત વર્તમાન IDSM.
1.સંતૃપ્ત લિકેજ સ્ત્રોત વર્તમાન
સંતૃપ્ત ડ્રેઇન-સ્રોત વર્તમાન IDSS નો અર્થ છે ગેટ વોલ્ટેજ UGS = 0 માં જંકશન અથવા ડિપ્લેશન પ્રકાર ઇન્સ્યુલેટેડ-લેયર ગેટ MOSFETs પર ડ્રેઇન-સોર્સ કરંટ.
2. ક્લિપ-ઓફ વોલ્ટેજ
પિંચ-ઓફ વોલ્ટેજ UP એટલે જંકશન અથવા ડિપ્લેશન પ્રકારના ઇન્સ્યુલેટેડ લેયર ગેટમાં ગેટ વોલ્ટેજ ઓપરેટિંગ વોલ્ટેજMOSFETજે ડ્રેઇન-સ્રોતને માત્ર કટ-ઓફ બનાવે છે. IDSS અને UP નો વાસ્તવમાં અર્થ શું છે તે શોધો.
3, વોલ્ટેજ ચાલુ કરો
ટર્ન-ઓન વોલ્ટેજ UT નો અર્થ પ્રબલિત ઇન્સ્યુલેટેડ-ગેટ MOSFET માં ગેટ વોલ્ટેજ ઓપરેટિંગ વોલ્ટેજ છે જેથી ડ્રેઇન-સોર્સ ઇન્ટરકનેક્ટ ફક્ત ચાલુ થાય. UT નો ખરેખર અર્થ શું છે તે શોધો.
4. ક્રોસ-માર્ગદર્શન
ડ્રેઇન કરંટને નિયંત્રિત કરવા માટે ગેટ સોર્સ વોલ્ટેજની ક્ષમતા દર્શાવવા માટે ટ્રાન્સગાઇડ ગ્રામનો ઉપયોગ થાય છે, એટલે કે, ડ્રેઇન કરંટના ફેરફાર અને ગેટ સોર્સ વોલ્ટેજના ફેરફાર વચ્ચેનો ગુણોત્તર.
5, આઉટપુટ પાવરનું મહત્તમ નુકસાનr
મહત્તમ નુકશાન આઉટપુટ પાવર પણ મર્યાદા પરિમાણને અનુસરે છે, જેનો અર્થ થાય છે મહત્તમ ડ્રેઇન-સ્રોત નુકશાન શક્તિ કે જેને મંજૂરી આપી શકાય છે જ્યારેMOSFETસામાન્ય અને અપ્રભાવિત છે. જ્યારે આપણે MOSFET નો ઉપયોગ કરીએ છીએ, ત્યારે તેનું કાર્યાત્મક નુકસાન PDSM અને ચોક્કસ મૂલ્ય કરતા ઓછું હોવું જોઈએ.
6, મહત્તમ લિકેજ સ્ત્રોત વર્તમાન
મહત્તમ ડ્રેઇન-સ્રોત પ્રવાહ, IDSM, પણ એક મર્યાદિત પરિમાણ છે, જેનો અર્થ એ છે કે સામાન્ય કામગીરી દરમિયાન MOSFET ના ડ્રેઇન અને સ્ત્રોત વચ્ચે પસાર થવા માટે માન્ય મહત્તમ પ્રવાહ, અને જ્યારે MOSFET કાર્યરત હોય ત્યારે તેને ઓળંગવી જોઈએ નહીં.
સક્રિય બજાર વિકાસ અને અસરકારક સંસાધન સંકલન દ્વારા ઓલુકે એશિયામાં શ્રેષ્ઠ અને સૌથી ઝડપથી વિકસતા એજન્ટોમાંનું એક બની ગયું છે અને વિશ્વમાં સૌથી મૂલ્યવાન એજન્ટ બનવું એ ઓલુકીનું સામાન્ય લક્ષ્ય છે.
પોસ્ટ સમય: જુલાઈ-07-2024
