ઇન્સ્યુલેટેડ લેયર ગેટ MOSFET ની માન્યતા

ઇન્સ્યુલેશન લેયર ગેટ પ્રકાર MOSFET ઉપનામMOSFET (ત્યારબાદ MOSFET તરીકે ઓળખવામાં આવે છે), જે ગેટ વોલ્ટેજ અને સ્ત્રોત ડ્રેઇનની મધ્યમાં સિલિકોન ડાયોક્સાઇડનું કેબલ આવરણ ધરાવે છે.

MOSFET પણ છેએન-ચેનલ અને પી-ચેનલ બે કેટેગરી છે, પરંતુ દરેક કેટેગરી ઉન્નતીકરણ અને પ્રકાશ અવક્ષય પ્રકાર બેમાં વિભાજિત છે, આમ કુલ ચાર પ્રકારો છે:એન-ચેનલ વૃદ્ધિ, પી-ચેનલ એન્હાન્સમેન્ટ, એન-ચેનલ લાઇટ ડિપ્લેશન, પી-ચેનલ લાઇટ ડિપ્લેશન પ્રકાર. પરંતુ જ્યાં ગેટ સ્ત્રોત વોલ્ટેજ શૂન્ય છે, ત્યાં ડ્રેઇન કરંટ પણ શૂન્ય છે પાઇપની ઉન્નત ટ્યુબ છે. જો કે, જ્યાં ગેટ સ્ત્રોત વોલ્ટેજ શૂન્ય છે, ત્યાં ડ્રેઇન કરંટ શૂન્ય નથી તેને પ્રકાશ-વપરાશ કરતી ટ્યુબ તરીકે વર્ગીકૃત કરવામાં આવે છે.
ઉન્નત MOSFET સિદ્ધાંત:

જ્યારે ગેટ સ્ત્રોતની મધ્યમાં કામ કરતી વખતે વોલ્ટેજનો ઉપયોગ થતો નથી, ત્યારે ડ્રેઇન સ્ત્રોતની મધ્યમાં PN જંકશન વિરુદ્ધ દિશામાં હોય છે, તેથી ત્યાં કોઈ વાહક ચેનલ હશે નહીં, ભલે વોલ્ટેજ સાથે ડ્રેઇન સ્ત્રોતની મધ્યમાં હોય, વાહક ખાઈ વીજળી બંધ છે, તે અનુસાર કાર્યકારી વર્તમાન હોવું શક્ય નથી. જ્યારે ગેટ સ્ત્રોતની મધ્યમાં વત્તા સકારાત્મક દિશા વોલ્ટેજને ચોક્કસ મૂલ્ય સુધી લઈ જવામાં આવે છે, ત્યારે ડ્રેઇન સ્ત્રોતની મધ્યમાં એક વાહક સુરક્ષા ચેનલ ઉત્પન્ન થાય છે, જેથી આ ગેટ સ્ત્રોત વોલ્ટેજ દ્વારા ઉત્પન્ન થયેલ વાહક ખાઈને ઓપન વોલ્ટેજ VGS કહેવામાં આવે છે. ગેટ સ્ત્રોત વોલ્ટેજની મધ્યથી મોટી, વાહક ખાઈ પહોળી હોય છે, જે બદલામાં વીજળીના પ્રવાહને વધારે છે.

પ્રકાશ વિસર્જન કરનાર MOSFET ના સિદ્ધાંત:

ઓપરેશનમાં, ગેટ સ્ત્રોતની મધ્યમાં કોઈ વોલ્ટેજનો ઉપયોગ થતો નથી, ઉન્નતીકરણ પ્રકાર MOSFET થી વિપરીત, અને ડ્રેઇન સ્ત્રોતની મધ્યમાં વાહક ચેનલ અસ્તિત્વમાં છે, તેથી ડ્રેઇન સ્ત્રોતની મધ્યમાં માત્ર હકારાત્મક વોલ્ટેજ ઉમેરવામાં આવે છે, જે ડ્રેઇન વર્તમાન પ્રવાહમાં પરિણમે છે. તદુપરાંત, વોલ્ટેજની સકારાત્મક દિશાની મધ્યમાં ગેટ સ્ત્રોત, વાહક ચેનલ વિસ્તરણ, વોલ્ટેજની વિરુદ્ધ દિશા ઉમેરે છે, વાહક ચેનલ સંકોચાય છે, વીજળીના પ્રવાહ દ્વારા, MOSFET સરખામણીમાં વૃદ્ધિ સાથે, નાનું હશે, તે વાહક ચેનલની અંદર ચોક્કસ સંખ્યાના પ્રદેશોની હકારાત્મક અને નકારાત્મક સંખ્યામાં પણ હોઈ શકે છે.

MOSFET અસરકારકતા:

પ્રથમ, MOSFETs નો ઉપયોગ મોટું કરવા માટે થાય છે. કારણ કે MOSFET એમ્પ્લીફાયરની ઇનપુટ પ્રતિકાર ખૂબ ઊંચી છે, તેથી ફિલ્ટર કેપેસિટર નાનું હોઈ શકે છે, ઇલેક્ટ્રોલિટીક કેપેસિટર્સ લાગુ કર્યા વિના.

બીજું, MOSFET ખૂબ જ ઊંચી ઇનપુટ પ્રતિકાર લાક્ષણિકતા અવબાધ રૂપાંતરણ માટે ખાસ કરીને યોગ્ય છે. લાક્ષણિક અવબાધ રૂપાંતરણ માટે મલ્ટી-લેવલ એમ્પ્લીફાયર ઇનપુટ સ્ટેજમાં સામાન્ય રીતે ઉપયોગમાં લેવાય છે.

MOSFET નો ઉપયોગ એડજસ્ટેબલ રેઝિસ્ટર તરીકે કરી શકાય છે.

ચોથું, MOSFET ડીસી પાવર સપ્લાય તરીકે અનુકૂળ હોઈ શકે છે.

V. MOSFET નો ઉપયોગ સ્વિચિંગ એલિમેન્ટ તરીકે થઈ શકે છે.