આ ઉચ્ચ કાર્યક્ષમતાવાળા ઇલેક્ટ્રોનિક ઘટકોનો અસરકારક રીતે ઉપયોગ કરવા માટે MOSFETs (મેટલ-ઓક્સાઇડ-સેમિકન્ડક્ટર ફીલ્ડ-ઇફેક્ટ ટ્રાન્ઝિસ્ટર) ના ઓપરેશનલ સિદ્ધાંતોને સમજવું મહત્વપૂર્ણ છે. MOSFET એ ઇલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણોમાં અનિવાર્ય ઘટકો છે, અને ઉત્પાદકો માટે તેમને સમજવું આવશ્યક છે.
વ્યવહારમાં, એવા ઉત્પાદકો છે જેઓ તેમની એપ્લિકેશન દરમિયાન MOSFETs ના વિશિષ્ટ કાર્યોની સંપૂર્ણ પ્રશંસા કરી શકતા નથી. તેમ છતાં, ઇલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણોમાં MOSFET ના કાર્યકારી સિદ્ધાંતો અને તેમની અનુરૂપ ભૂમિકાઓને સમજીને, વ્યક્તિ તેની વિશિષ્ટ લાક્ષણિકતાઓ અને ઉત્પાદનના વિશિષ્ટ લક્ષણોને ધ્યાનમાં લઈને સૌથી યોગ્ય MOSFET પસંદ કરી શકે છે. આ પદ્ધતિ ઉત્પાદનના પ્રદર્શનને વધારે છે, બજારમાં તેની સ્પર્ધાત્મકતાને પ્રોત્સાહન આપે છે.
WINSOK SOT-23-3 પેકેજ MOSFET
MOSFET કાર્યકારી સિદ્ધાંતો
જ્યારે MOSFET નું ગેટ-સોર્સ વોલ્ટેજ (VGS) શૂન્ય હોય છે, ડ્રેઇન-સોર્સ વોલ્ટેજ (VDS) ના ઉપયોગ સાથે પણ, ત્યાં હંમેશા રિવર્સ બાયસમાં PN જંકશન હોય છે, પરિણામે વચ્ચે કોઈ વાહક ચેનલ (અને કોઈ વર્તમાન) હોતી નથી. MOSFET ના ગટર અને સ્ત્રોત. આ સ્થિતિમાં, MOSFET નો ડ્રેઇન કરંટ (ID) શૂન્ય છે. ગેટ અને સોર્સ (VGS > 0) વચ્ચે પોઝિટિવ વોલ્ટેજ લાગુ કરવાથી MOSFET ના ગેટ અને સિલિકોન સબસ્ટ્રેટની વચ્ચે SiO2 ઇન્સ્યુલેટિંગ લેયરમાં ઇલેક્ટ્રિક ફિલ્ડ બને છે, જે ગેટથી P-ટાઈપ સિલિકોન સબસ્ટ્રેટ તરફ નિર્દેશિત થાય છે. આપેલ છે કે ઓક્સાઇડ સ્તર ઇન્સ્યુલેટીંગ છે, ગેટ પર લાગુ વોલ્ટેજ, VGS, MOSFET માં વર્તમાન પેદા કરી શકતું નથી. તેના બદલે, તે ઓક્સાઇડ સ્તર પર કેપેસિટર બનાવે છે.
જેમ જેમ VGS ધીમે ધીમે વધે છે, કેપેસિટર ચાર્જ થાય છે, ઇલેક્ટ્રિક ક્ષેત્ર બનાવે છે. ગેટ પરના સકારાત્મક વોલ્ટેજ દ્વારા આકર્ષિત, કેપેસિટરની બીજી બાજુ અસંખ્ય ઇલેક્ટ્રોન એકઠા થાય છે, જે MOSFET માં ડ્રેઇનથી સ્ત્રોત સુધી એન-પ્રકારની વાહક ચેનલ બનાવે છે. જ્યારે VGS થ્રેશોલ્ડ વોલ્ટેજ VT (સામાન્ય રીતે 2V ની આસપાસ) વટાવે છે, ત્યારે MOSFET ની N-ચેનલ ડ્રેઇન કરંટ ID ના પ્રવાહની શરૂઆત કરે છે. ગેટ-સોર્સ વોલ્ટેજ કે જેના પર ચેનલ રચવાનું શરૂ કરે છે તેને થ્રેશોલ્ડ વોલ્ટેજ VT તરીકે ઓળખવામાં આવે છે. VGS ની તીવ્રતા અને પરિણામે ઇલેક્ટ્રિક ફિલ્ડને નિયંત્રિત કરીને, MOSFET માં ડ્રેઇન વર્તમાન ID નું કદ મોડ્યુલેટ કરી શકાય છે.
WINSOK DFN5x6-8 પેકેજ MOSFET
MOSFET એપ્લિકેશન્સ
MOSFET તેની ઉત્કૃષ્ટ સ્વિચિંગ લાક્ષણિકતાઓ માટે જાણીતું છે, જે ઇલેક્ટ્રોનિક સ્વીચો, જેમ કે સ્વીચ-મોડ પાવર સપ્લાયની આવશ્યકતા ધરાવતા સર્કિટ્સમાં તેના વ્યાપક ઉપયોગ તરફ દોરી જાય છે. 5V પાવર સપ્લાયનો ઉપયોગ કરીને લો-વોલ્ટેજ એપ્લિકેશન્સમાં, પરંપરાગત રચનાઓનો ઉપયોગ બાયપોલર જંકશન ટ્રાન્ઝિસ્ટર (લગભગ 0.7V) ના બેઝ-એમિટર પર વોલ્ટેજ ડ્રોપમાં પરિણમે છે, જે ગેટ પર લાગુ થતા અંતિમ વોલ્ટેજ માટે માત્ર 4.3V જ રહે છે. MOSFET. આવા સંજોગોમાં, 4.5V ના નજીવા ગેટ વોલ્ટેજ સાથે MOSFET ને પસંદ કરવાથી ચોક્કસ જોખમો પરિચય થાય છે. આ પડકાર 3V અથવા અન્ય લો-વોલ્ટેજ પાવર સપ્લાયને સામેલ કરતી એપ્લિકેશન્સમાં પણ દેખાય છે.
પોસ્ટ સમય: ઑક્ટો-27-2023
