આ એક પેકેજ્ડ છેMOSFETપાયરોઇલેક્ટ્રિક ઇન્ફ્રારેડ સેન્સર. લંબચોરસ ફ્રેમ એ સેન્સિંગ વિન્ડો છે. G પિન એ ગ્રાઉન્ડ ટર્મિનલ છે, D પિન એ આંતરિક MOSFET ડ્રેઇન છે, અને S પિન એ આંતરિક MOSFET સ્ત્રોત છે. સર્કિટમાં, G જમીન સાથે જોડાયેલ છે, D હકારાત્મક પાવર સપ્લાય સાથે જોડાયેલ છે, ઇન્ફ્રારેડ સિગ્નલો વિન્ડોમાંથી ઇનપુટ છે, અને વિદ્યુત સંકેતો S માંથી આઉટપુટ છે.
જજમેન્ટ ગેટ જી
એમઓએસ ડ્રાઇવર મુખ્યત્વે વેવફોર્મ શેપિંગ અને ડ્રાઇવિંગ એન્હાન્સમેન્ટની ભૂમિકા ભજવે છે: જો જી સિગ્નલ વેવફોર્મMOSFETતે પૂરતું ઊભું નથી, તે સ્વિચિંગ સ્ટેજ દરમિયાન મોટા પ્રમાણમાં પાવર લોસનું કારણ બનશે. તેની આડઅસર સર્કિટ રૂપાંતરણ કાર્યક્ષમતાને ઘટાડવાની છે. MOSFET ને તીવ્ર તાવ આવશે અને ગરમીથી સરળતાથી નુકસાન થશે. MOSFETGS વચ્ચે ચોક્કસ ક્ષમતા છે. , જો G સિગ્નલ ડ્રાઇવિંગ ક્ષમતા અપૂરતી હોય, તો તે વેવફોર્મ જમ્પ સમયને ગંભીરપણે અસર કરશે.
GS પોલને શોર્ટ-સર્કિટ કરો, મલ્ટિમીટરનું R×1 લેવલ પસંદ કરો, બ્લેક ટેસ્ટ લીડને S પોલ સાથે અને રેડ ટેસ્ટ લીડને D પોલ સાથે જોડો. પ્રતિકાર થોડા Ω થી દસ Ω કરતાં વધુ હોવો જોઈએ. જો એવું જોવા મળે છે કે ચોક્કસ પિન અને તેની બે પિનનો પ્રતિકાર અનંત છે, અને તે ટેસ્ટ લીડ્સની આપલે પછી પણ અનંત છે, તો તે પુષ્ટિ થાય છે કે આ પિન જી ધ્રુવ છે, કારણ કે તે અન્ય બે પિનથી અવાહક છે.
સ્ત્રોત S અને ડ્રેઇન D નક્કી કરો
મલ્ટિમીટરને R×1k પર સેટ કરો અને અનુક્રમે ત્રણ પિન વચ્ચેના પ્રતિકારને માપો. પ્રતિકારને બે વાર માપવા માટે એક્સચેન્જ ટેસ્ટ લીડ પદ્ધતિનો ઉપયોગ કરો. નીચું પ્રતિકાર મૂલ્ય ધરાવતું (સામાન્ય રીતે થોડા હજાર Ω થી દસ હજાર Ω કરતાં વધુ) એ ફોરવર્ડ રેઝિસ્ટન્સ છે. આ સમયે, બ્લેક ટેસ્ટ લીડ એસ પોલ છે અને લાલ ટેસ્ટ લીડ ડી પોલ સાથે જોડાયેલ છે. વિવિધ પરીક્ષણ પરિસ્થિતિઓને કારણે, માપેલ RDS(ચાલુ) મૂલ્ય મેન્યુઅલમાં આપેલ લાક્ષણિક મૂલ્ય કરતાં વધારે છે.
વિશેMOSFET
ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં N-પ્રકારની ચેનલ છે તેથી તેને N-ચેનલ કહેવામાં આવે છેMOSFET, અથવાNMOS. પી-ચેનલ MOS (PMOS) FET પણ અસ્તિત્વમાં છે, જે PMOSFET છે જે હળવા ડોપેડ N-ટાઈપ બેકગેટ અને P-ટાઈપ સોર્સ અને ડ્રેઈનથી બનેલું છે.
એન-ટાઇપ અથવા પી-ટાઇપ MOSFET ને ધ્યાનમાં લીધા વિના, તેના કાર્ય સિદ્ધાંત આવશ્યકપણે સમાન છે. MOSFET ઇનપુટ ટર્મિનલના ગેટ પર લાગુ વોલ્ટેજ દ્વારા આઉટપુટ ટર્મિનલના ડ્રેઇન પર વર્તમાનને નિયંત્રિત કરે છે. MOSFET એ વોલ્ટેજ-નિયંત્રિત ઉપકરણ છે. તે ગેટ પર લાગુ વોલ્ટેજ દ્વારા ઉપકરણની લાક્ષણિકતાઓને નિયંત્રિત કરે છે. જ્યારે ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો ઉપયોગ સ્વિચિંગ માટે કરવામાં આવે ત્યારે તે બેઝ કરંટને કારણે ચાર્જ સ્ટોરેજ અસરનું કારણ નથી બનાવતું. તેથી, એપ્લિકેશનો બદલવામાં,MOSFETsટ્રાંઝિસ્ટર કરતાં વધુ ઝડપથી સ્વિચ કરવું જોઈએ.
FET ને તેનું નામ એ હકીકત પરથી પણ મળ્યું છે કે તેનું ઇનપુટ (જેને ગેટ કહેવાય છે) ઇલેક્ટ્રિક ફિલ્ડને ઇન્સ્યુલેટીંગ લેયર પર પ્રક્ષેપિત કરીને ટ્રાંઝિસ્ટરમાંથી વહેતા પ્રવાહને અસર કરે છે. હકીકતમાં, આ ઇન્સ્યુલેટરમાંથી કોઈ પ્રવાહ વહેતો નથી, તેથી FET ટ્યુબનો GATE પ્રવાહ ખૂબ નાનો છે.
સૌથી સામાન્ય FET GATE હેઠળ ઇન્સ્યુલેટર તરીકે સિલિકોન ડાયોક્સાઇડના પાતળા સ્તરનો ઉપયોગ કરે છે.
આ પ્રકારના ટ્રાન્ઝિસ્ટરને મેટલ ઓક્સાઇડ સેમિકન્ડક્ટર (MOS) ટ્રાન્ઝિસ્ટર અથવા મેટલ ઓક્સાઇડ સેમિકન્ડક્ટર ફીલ્ડ ઇફેક્ટ ટ્રાન્ઝિસ્ટર (MOSFET) કહેવામાં આવે છે. કારણ કે MOSFETs નાના અને વધુ પાવર કાર્યક્ષમ છે, તેઓએ ઘણી એપ્લિકેશનોમાં બાયપોલર ટ્રાન્ઝિસ્ટરને બદલ્યા છે.
પોસ્ટ સમય: નવેમ્બર-10-2023
