સ્વિચિંગ પાવર સપ્લાય અથવા મોટર ડ્રાઇવ સર્કિટનો ઉપયોગ કરીને ડિઝાઇન કરતી વખતેMOSFETs, સામાન્ય રીતે MOS ના ઓન-રેઝિસ્ટન્સ, મહત્તમ વોલ્ટેજ અને મહત્તમ વર્તમાન જેવા પરિબળોને ધ્યાનમાં લેવામાં આવે છે.
MOSFET ટ્યુબ એ FET નો એક પ્રકાર છે જે કુલ 4 પ્રકારો માટે ઉન્નતીકરણ અથવા અવક્ષય પ્રકાર, P-ચેનલ અથવા N-ચેનલ તરીકે ફેબ્રિકેટ કરી શકાય છે. ઉન્નતીકરણ NMOSFETs અને ઉન્નતીકરણ PMOSFET નો સામાન્ય રીતે ઉપયોગ થાય છે, અને આ બેનો સામાન્ય રીતે ઉલ્લેખ કરવામાં આવે છે.
આ બેનો વધુ ઉપયોગ NMOS છે. કારણ એ છે કે વાહક પ્રતિકાર નાનો અને ઉત્પાદન માટે સરળ છે. તેથી, NMOS નો ઉપયોગ સામાન્ય રીતે પાવર સપ્લાય અને મોટર ડ્રાઇવ એપ્લિકેશનને બદલવામાં થાય છે.
MOSFET ની અંદર, એક થાઇરિસ્ટર ડ્રેઇન અને સ્ત્રોતની વચ્ચે મૂકવામાં આવે છે, જે મોટર્સ જેવા ઇન્ડક્ટિવ લોડને ચલાવવા માટે ખૂબ જ મહત્વપૂર્ણ છે, અને તે ફક્ત એક જ MOSFET માં હાજર છે, સામાન્ય રીતે એકીકૃત સર્કિટ ચિપમાં નથી.
MOSFET ના ત્રણ પિન વચ્ચે પરોપજીવી કેપેસીટન્સ અસ્તિત્વમાં છે, અમને તેની જરૂર નથી, પરંતુ ઉત્પાદન પ્રક્રિયાની મર્યાદાઓને કારણે. ડ્રાઇવર સર્કિટ ડિઝાઇન કરતી વખતે અથવા પસંદ કરતી વખતે પરોપજીવી કેપેસીટન્સની હાજરી તેને વધુ બોજારૂપ બનાવે છે, પરંતુ તેને ટાળી શકાય નહીં.
ના મુખ્ય પરિમાણોMOSFET
1, ઓપન વોલ્ટેજ VT
ઓપન વોલ્ટેજ (થ્રેશોલ્ડ વોલ્ટેજ તરીકે પણ ઓળખાય છે): જેથી ગેટ વોલ્ટેજ સ્ત્રોત S અને ડ્રેઇન ડી વચ્ચે વાહક ચેનલ બનાવવાનું શરૂ કરવા માટે જરૂરી છે; પ્રમાણભૂત N-ચેનલ MOSFET, VT લગભગ 3 ~ 6V છે; પ્રક્રિયા સુધારણા દ્વારા, MOSFET VT મૂલ્ય 2 ~ 3V સુધી ઘટાડી શકાય છે.
2, ડીસી ઇનપુટ પ્રતિકાર આરજીએસ
ગેટ સ્ત્રોત ધ્રુવ અને ગેટ કરંટ વચ્ચે ઉમેરાયેલ વોલ્ટેજનો ગુણોત્તર આ લાક્ષણિકતા કેટલીકવાર ગેટમાંથી વહેતા ગેટ કરંટ દ્વારા વ્યક્ત કરવામાં આવે છે, MOSFET નું RGS સરળતાથી 1010Ω ઓળંગી શકે છે.
3. ડ્રેઇન સોર્સ બ્રેકડાઉન BVDS વોલ્ટેજ.
VGS = 0 (ઉન્નત) ની સ્થિતિ હેઠળ, ડ્રેઇન-સ્રોત વોલ્ટેજ વધારવાની પ્રક્રિયામાં, જ્યારે VDS ને ડ્રેઇન-સોર્સ બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ BVDS કહેવામાં આવે છે ત્યારે ID તીવ્રપણે વધે છે, ID બે કારણોસર તીવ્રપણે વધે છે: (1) હિમપ્રપાત ડ્રેઇનની નજીકના અવક્ષય સ્તરનું ભંગાણ, (2) ડ્રેઇન અને સ્ત્રોતના ધ્રુવો વચ્ચેનું ઘૂંસપેંઠ ભંગાણ, કેટલાક MOSFETs, જેની ખાઈની લંબાઈ ઓછી હોય છે, તે VDS વધારતા હોય છે જેથી ડ્રેઇન પ્રદેશમાં ડ્રેઇન સ્તર સ્ત્રોત પ્રદેશમાં વિસ્તૃત થાય, ચેનલની લંબાઈ શૂન્ય બનાવવી, એટલે કે, ડ્રેઇન-સ્રોત ઘૂંસપેંઠ, ઘૂંસપેંઠ ઉત્પન્ન કરવા માટે, સ્ત્રોત પ્રદેશમાં મોટાભાગના વાહકો ડિપ્લેશન લેયરના ઇલેક્ટ્રિક ક્ષેત્ર દ્વારા સીધા જ ડ્રેઇન પ્રદેશ તરફ આકર્ષિત થશે, પરિણામે મોટી ID .
4, ગેટ સોર્સ બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ BVGS
જ્યારે ગેટ વોલ્ટેજ વધે છે, ત્યારે VGS જ્યારે IG ને શૂન્યથી વધારવામાં આવે છે ત્યારે તેને ગેટ સોર્સ બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ BVGS કહેવામાં આવે છે.
5,ઓછી આવર્તન ટ્રાન્સકન્ડક્ટન્સ
જ્યારે VDS એ નિશ્ચિત મૂલ્ય હોય છે, ત્યારે ગેટ સોર્સ વોલ્ટેજના માઇક્રોવેરિએશન અને ગેટ સોર્સ વોલ્ટેજના માઇક્રોવેરિએશનના ગુણોત્તરને ટ્રાન્સકન્ડક્ટન્સ કહેવામાં આવે છે, જે ડ્રેઇન પ્રવાહને નિયંત્રિત કરવા માટે ગેટ સ્ત્રોત વોલ્ટેજની ક્ષમતાને પ્રતિબિંબિત કરે છે, અને મહત્વપૂર્ણ પરિમાણ જે એમ્પ્લીફિકેશન ક્ષમતાને લાક્ષણિકતા આપે છેMOSFET.
6, ઓન-રેઝિસ્ટન્સ RON
ઓન-રેઝિસ્ટન્સ RON ID પર VDS ની અસર દર્શાવે છે, તે ચોક્કસ બિંદુએ ડ્રેઇન લાક્ષણિકતાઓની સ્પર્શરેખાના ઢોળાવનું વિપરિત છે, સંતૃપ્તિ પ્રદેશમાં, ID લગભગ VDS સાથે બદલાતું નથી, RON એ ખૂબ મોટી છે. મૂલ્ય, સામાન્ય રીતે દસ કિલો-ઓહ્મથી સેંકડો કિલો-ઓહ્મમાં, કારણ કે ડિજિટલ સર્કિટમાં, MOSFET ઘણીવાર વાહક VDS = 0 ની સ્થિતિમાં કામ કરે છે, તેથી આ બિંદુએ, ઓન-રેઝિસ્ટન્સ RON અંદાજિત કરી શકાય છે સામાન્ય MOSFET માટે, RON નું મૂળ આશરે સો ઓહ્મમાં RON મૂલ્ય.
7, આંતર-ધ્રુવીય ક્ષમતા
ત્રણ ઇલેક્ટ્રોડ વચ્ચે ઇન્ટરપોલર કેપેસીટન્સ અસ્તિત્વમાં છે: ગેટ સોર્સ કેપેસીટન્સ CGS, ગેટ ડ્રેઇન કેપેસીટન્સ CGD અને ડ્રેઇન સોર્સ કેપેસીટન્સ CDS-CGS અને CGD લગભગ 1~3pF છે, CDS લગભગ 0.1~1pF છે.
8,ઓછી આવર્તન અવાજ પરિબળ
પાઇપલાઇનમાં વાહકોની અવરજવરમાં અનિયમિતતાને કારણે અવાજ આવે છે. તેની હાજરીને કારણે, એમ્પ્લીફાયર દ્વારા કોઈ સિગ્નલ આપવામાં ન આવે તો પણ આઉટપુટ પર અનિયમિત વોલ્ટેજ અથવા વર્તમાન ભિન્નતા જોવા મળે છે. ઘોંઘાટનું પ્રદર્શન સામાન્ય રીતે અવાજ પરિબળ NF ના સંદર્ભમાં વ્યક્ત કરવામાં આવે છે. એકમ ડેસિબલ (dB) છે. મૂલ્ય જેટલું નાનું, ટ્યુબ જેટલો ઓછો અવાજ ઉત્પન્ન કરે છે. ઓછી-આવર્તન ઘોંઘાટ પરિબળ એ ઓછી-આવર્તન શ્રેણીમાં માપવામાં આવતા અવાજ પરિબળ છે. ફીલ્ડ ઇફેક્ટ ટ્યુબનો અવાજ પરિબળ થોડાક ડીબી જેટલો છે, જે બાયપોલર ટ્રાયોડ કરતા ઓછો છે.
પોસ્ટ સમય: એપ્રિલ-24-2024
