MOSFET ના સંચાલનનો સિદ્ધાંત શું છે?

MOSFET (ફીલ્ડ ઇફેક્ટ ટ્રાન્ઝિસ્ટર સંક્ષેપ (FET)) શીર્ષકMOSFET. થર્મલ વાહકતામાં ભાગ લેવા માટે થોડી સંખ્યામાં વાહકો દ્વારા, જેને મલ્ટી-પોલ જંકશન ટ્રાન્ઝિસ્ટર તરીકે પણ ઓળખવામાં આવે છે. તે વોલ્ટેજ-નિયંત્રિત અર્ધ-સુપરકન્ડક્ટર ઉપકરણ તરીકે વર્ગીકૃત થયેલ છે. હાલની આઉટપુટ પ્રતિકાર ઊંચી છે (10^8 ~ 10^9 Ω), ઓછો અવાજ, ઓછો વીજ વપરાશ, સ્થિર શ્રેણી, એકીકૃત કરવા માટે સરળ, કોઈ બીજી તૂટવાની ઘટના નથી, વિશાળ સમુદ્રના વીમા કાર્ય અને અન્ય ફાયદાઓ, હવે બદલાઈ ગયા છે. દ્વિધ્રુવી જંકશન ટ્રાન્ઝિસ્ટર અને મજબૂત સહયોગીઓના પાવર જંકશન ટ્રાન્ઝિસ્ટર.

MOSFET લાક્ષણિકતાઓ

પ્રથમ: MOSFET એ વોલ્ટેજ માસ્ટરિંગ ડિવાઇસ છે, તે VGS (ગેટ સોર્સ વોલ્ટેજ) દ્વારા માસ્ટર ID (ડ્રેન ડીસી);

બીજું:MOSFET નાઆઉટપુટ ડીસી ખૂબ નાનું છે, તેથી તેનો આઉટપુટ પ્રતિકાર ઘણો મોટો છે.

ત્રણ: તે ગરમીનું સંચાલન કરવા માટે થોડા વાહકોને લાગુ કરવામાં આવે છે, અને આમ તે સ્થિરતાનું વધુ સારું માપ ધરાવે છે;

ચાર: તે ટ્રાન્ઝિસ્ટર કરતા નાના ગુણાંકના વિદ્યુત ઘટાડાનો ઘટાડેલો માર્ગ ધરાવે છે જેમાં નાના ગુણાંકના વિદ્યુત ઘટાડાનો ઘટાડો થયેલો માર્ગ હોય છે;

પાંચમું: MOSFET વિરોધી ઇરેડિયેશન પાવર;

છ: કારણ કે અવાજના વિખરાયેલા કણોને કારણે લઘુમતી વિખેરવાની કોઈ ખામીયુક્ત પ્રવૃત્તિ નથી, કારણ કે અવાજ ઓછો છે.

MOSFET કાર્ય સિદ્ધાંત

MOSFETએક વાક્યમાં કાર્ય સિદ્ધાંત, એટલે કે, "ડ્રેન - સ્ત્રોત ID ની વચ્ચેની ચેનલ મારફતે ચાલવું, ઇલેક્ટ્રોડ સાથે અને પીએન વચ્ચેની ચેનલને ID ને માસ્ટર કરવા માટે રિવર્સ બાયસ ઇલેક્ટ્રોડ વોલ્ટેજમાં બાંધવામાં આવે છે". વધુ સચોટ રીતે, સમગ્ર સર્કિટમાં ID નું કંપનવિસ્તાર, એટલે કે, ચેનલ ક્રોસ-વિભાગીય વિસ્તાર, તે pn જંકશન કાઉન્ટર-બાયસ્ડ ભિન્નતા દ્વારા છે, કારણની નિપુણતાની વિવિધતાને વિસ્તૃત કરવા માટે અવક્ષય સ્તરની ઘટના. VGS=0 ના બિન-સંતૃપ્ત સમુદ્રમાં, દર્શાવેલ સંક્રમણ સ્તરનું વિસ્તરણ બહુ મોટું નથી કારણ કે, ડ્રેઇન-સ્રોત વચ્ચે ઉમેરાયેલા VDS ના ચુંબકીય ક્ષેત્ર અનુસાર, સ્ત્રોત સમુદ્રમાં કેટલાક ઇલેક્ટ્રોન ડ્રેઇન દ્વારા દૂર ખેંચાય છે. , એટલે કે, ગટરથી સ્ત્રોત સુધી DC ID પ્રવૃત્તિ છે. ગેટથી ડ્રેઇન સુધી વિસ્તરતો મધ્યમ સ્તર ચેનલના આખા ભાગમાં એક પ્રકારનો બ્લોકેજ બનાવશે, ID ફુલ. આ પેટર્નને પિંચ-ઓફ તરીકે સંદર્ભ લો. આ પ્રતીક કરે છે કે સંક્રમણ સ્તર સમગ્ર ચેનલને અવરોધે છે, અને એવું નથી કે ડીસી કાપી નાખવામાં આવે છે.

સંક્રમણ સ્તરમાં, કારણ કે ઇલેક્ટ્રોન અને છિદ્રોની કોઈ સ્વ-ચળવળ નથી, સામાન્ય ડીસી પ્રવાહના અસ્તિત્વની ઇન્સ્યુલેટીંગ લાક્ષણિકતાઓના વાસ્તવિક સ્વરૂપમાં ખસેડવું મુશ્કેલ છે. જો કે, ડ્રેઇન - સ્ત્રોત વચ્ચેનું ચુંબકીય ક્ષેત્ર, વ્યવહારમાં, બે સંક્રમણ સ્તર સંપર્ક ડ્રેઇન અને ગેટ પોલ નીચલા ડાબે છે, કારણ કે ડ્રિફ્ટ ચુંબકીય ક્ષેત્ર સંક્રમણ સ્તર દ્વારા હાઇ-સ્પીડ ઇલેક્ટ્રોનને ખેંચે છે. કારણ કે ડ્રિફ્ટ મેગ્નેટિક ફિલ્ડની તાકાત ફક્ત ID દ્રશ્યની પૂર્ણતાને બદલી શકતી નથી. બીજું, VGS થી નેગેટિવ પોઝિશન બદલાય છે, જેથી VGS = VGS (બંધ), પછી સંક્રમણ સ્તર મોટાભાગે સમગ્ર સમુદ્રને આવરી લેવાનો આકાર બદલી નાખે છે. અને વીડીએસનું ચુંબકીય ક્ષેત્ર મોટે ભાગે સંક્રમણ સ્તરમાં ઉમેરવામાં આવે છે, ચુંબકીય ક્ષેત્ર જે ઇલેક્ટ્રોનને ડ્રિફ્ટ સ્થિતિમાં ખેંચે છે, જ્યાં સુધી ખૂબ જ ટૂંકા બધાના સ્ત્રોત ધ્રુવની નજીક હોય, જે વધુ હોય છે જેથી ડીસી પાવર ન હોય. સ્થિર થવા માટે સક્ષમ.