હાઇ પાવર MOSFET ના ડ્રાઇવ સર્કિટનો સિદ્ધાંત શું છે?

સમાન ઉચ્ચ-શક્તિ MOSFET, વિવિધ ડ્રાઇવ સર્કિટનો ઉપયોગ વિવિધ સ્વિચિંગ લાક્ષણિકતાઓ મેળવશે. ડ્રાઇવ સર્કિટના સારા પ્રદર્શનનો ઉપયોગ પાવર સ્વિચિંગ ઉપકરણને પ્રમાણમાં આદર્શ સ્વિચિંગ સ્થિતિમાં કામ કરી શકે છે, જ્યારે સ્વિચિંગનો સમય ઓછો કરે છે, સ્વિચિંગ નુકસાન ઘટાડે છે, ઓપરેટિંગ કાર્યક્ષમતા, વિશ્વસનીયતા અને સલામતીનું સ્થાપન ખૂબ મહત્વ ધરાવે છે. તેથી, ડ્રાઇવ સર્કિટના ફાયદા અને ગેરફાયદા મુખ્ય સર્કિટના પ્રભાવને સીધી અસર કરે છે, ડ્રાઇવ સર્કિટની ડિઝાઇનનું તર્કસંગતકરણ વધુને વધુ મહત્વપૂર્ણ છે. Thyristor નાનું કદ, હલકું વજન, ઉચ્ચ કાર્યક્ષમતા, લાંબુ આયુષ્ય, ઉપયોગમાં સરળ, રેક્ટિફાયર અને ઇન્વર્ટરને સરળતાથી રોકી શકે છે, અને રેક્ટિફાયર અથવા ઇન્વર્ટર કરંટના કદને બદલવાના આધાર હેઠળ સર્કિટ સ્ટ્રક્ચર બદલી શકતું નથી. આઇજીબીટી એક સંયુક્ત છે. નું ઉપકરણMOSFETઅને GTR, જે ઝડપી સ્વિચિંગ સ્પીડ, સારી થર્મલ સ્ટેબિલિટી, નાની ડ્રાઇવિંગ પાવર અને સરળ ડ્રાઇવ સર્કિટની લાક્ષણિકતાઓ ધરાવે છે, અને નાના ઓન-સ્ટેટ વોલ્ટેજ ડ્રોપ, ઉચ્ચ પ્રતિકાર વોલ્ટેજ અને ઉચ્ચ સ્વીકૃતિ પ્રવાહના ફાયદા ધરાવે છે. IGBT મુખ્ય પ્રવાહના પાવર આઉટપુટ ઉપકરણ તરીકે, ખાસ કરીને ઉચ્ચ-શક્તિવાળા સ્થળોએ, સામાન્ય રીતે વિવિધ શ્રેણીઓમાં ઉપયોગમાં લેવાય છે.

 

હાઇ-પાવર MOSFET સ્વિચિંગ ઉપકરણો માટે આદર્શ ડ્રાઇવિંગ સર્કિટ નીચેની આવશ્યકતાઓને પૂર્ણ કરે છે:

(1) જ્યારે પાવર સ્વિચિંગ ટ્યુબ ચાલુ હોય, ત્યારે ડ્રાઇવિંગ સર્કિટ ઝડપી-વધતો બેઝ કરંટ પ્રદાન કરી શકે છે, જેથી જ્યારે તેને ચાલુ કરવામાં આવે ત્યારે પૂરતી ડ્રાઇવિંગ શક્તિ હોય, આમ ટર્ન-ઑન નુકસાન ઘટાડે છે.

(2) સ્વિચિંગ ટ્યુબ વહન દરમિયાન, MOSFET ડ્રાઇવર સર્કિટ દ્વારા પ્રદાન કરવામાં આવેલ બેઝ કરંટ એ સુનિશ્ચિત કરી શકે છે કે પાવર ટ્યુબ કોઈપણ લોડ સ્થિતિમાં સંતૃપ્ત વહન સ્થિતિમાં છે, તુલનાત્મક રીતે ઓછા વહન નુકશાનની ખાતરી કરે છે. સંગ્રહ સમય ઘટાડવા માટે, શટડાઉન પહેલાં ઉપકરણ નિર્ણાયક સંતૃપ્તિ સ્થિતિમાં હોવું જોઈએ.

(3) શટડાઉન, ડ્રાઇવ સર્કિટને સંગ્રહ સમય ઘટાડવા માટે બેઝ પ્રદેશમાં બાકીના કેરિયર્સને ઝડપથી બહાર કાઢવા માટે પૂરતી રિવર્સ બેઝ ડ્રાઇવ પ્રદાન કરવી જોઈએ; અને રિવર્સ બાયસ કટઓફ વોલ્ટેજ ઉમેરો, જેથી ઉતરાણનો સમય ઘટાડવા કલેક્ટર કરંટ ઝડપથી પડે. અલબત્ત, શટડાઉન પૂર્ણ કરવા માટે થાઇરિસ્ટરનું શટડાઉન હજુ પણ મુખ્યત્વે રિવર્સ એનોડ વોલ્ટેજ ડ્રોપ દ્વારા છે.

હાલમાં, નીચા વોલ્ટેજ એન્ડ અને હાઇ વોલ્ટેજ એન્ડને અલગ કરવા માટે માત્ર ટ્રાન્સફોર્મર અથવા ઓપ્ટોકપ્લર આઇસોલેશન દ્વારા તુલનાત્મક સંખ્યા સાથે થાઇરિસ્ટર ડ્રાઇવ કરે છે, અને પછી થાઇરિસ્ટર વહનને ચલાવવા માટે કન્વર્ઝન સર્કિટ દ્વારા. વધુ IGBT ડ્રાઇવ મોડ્યુલના વર્તમાન ઉપયોગ માટે IGBT પર, પણ સંકલિત IGBT, સિસ્ટમ સ્વ-જાળવણી, સ્વ-નિદાન અને IPM ના અન્ય કાર્યાત્મક મોડ્યુલો.

આ પેપરમાં, અમે જે થાઇરિસ્ટરનો ઉપયોગ કરીએ છીએ, પ્રાયોગિક ડ્રાઇવ સર્કિટ ડિઝાઇન કરીએ છીએ અને તે થાઇરિસ્ટરને ચલાવી શકે છે તે સાબિત કરવા માટે વાસ્તવિક પરીક્ષણ બંધ કરીએ છીએ. IGBT ના ડ્રાઈવની વાત કરીએ તો, આ પેપર મુખ્યત્વે IGBT ડ્રાઈવના વર્તમાન મુખ્ય પ્રકારો, તેમજ તેમના અનુરૂપ ડ્રાઈવ સર્કિટ, અને સિમ્યુલેશન પ્રયોગને રોકવા માટે સૌથી વધુ ઉપયોગમાં લેવાતી ઑપ્ટોકપ્લર આઈસોલેશન ડ્રાઈવનો પરિચય આપે છે.

 

2. થાઇરિસ્ટર ડ્રાઇવ સર્કિટ અભ્યાસ સામાન્ય રીતે થાઇરિસ્ટર ઓપરેટિંગ શરતો છે:

(1) થાઇરિસ્ટર રિવર્સ એનોડ વોલ્ટેજ સ્વીકારે છે, દરવાજો ગમે તેવો વોલ્ટેજ સ્વીકારે છે, થાઇરિસ્ટર બંધ સ્થિતિમાં છે.

(2) થાઇરિસ્ટર ફોરવર્ડ એનોડ વોલ્ટેજ સ્વીકારે છે, માત્ર ગેટના કિસ્સામાં થાઇરિસ્ટર ચાલુ હોય તેવા હકારાત્મક વોલ્ટેજને સ્વીકારે છે.

(3) થાઇરિસ્ટર વહન સ્થિતિમાં, માત્ર ચોક્કસ હકારાત્મક એનોડ વોલ્ટેજ, ગેટ વોલ્ટેજને ધ્યાનમાં લીધા વિના, થાઇરિસ્ટર વહન પર આગ્રહ રાખે છે, એટલે કે, થાઇરિસ્ટર વહન પછી, દ્વાર ખોવાઈ જાય છે. (4) વહન સ્થિતિમાં થાઇરિસ્ટર, જ્યારે મુખ્ય સર્કિટ વોલ્ટેજ (અથવા વર્તમાન) શૂન્યની નજીક ઘટે છે, ત્યારે થાઇરિસ્ટર બંધ થાય છે. અમે thyristor પસંદ કરીએ છીએ જે TYN1025 છે, તેનો પ્રતિકાર વોલ્ટેજ 600V થી 1000V છે, વર્તમાન 25A સુધી છે. તેના માટે ગેટ ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ 10V થી 20V છે, ડ્રાઇવ કરંટ 4mA થી 40mA છે. અને તેનો જાળવણી પ્રવાહ 50mA છે, એન્જિનનો પ્રવાહ 90mA છે. ક્યાં તો DSP અથવા CPLD ટ્રિગર સિગ્નલ કંપનવિસ્તાર 5V જેટલો લાંબો છે. સૌ પ્રથમ, 24V માં 5V ના કંપનવિસ્તાર સુધી, અને પછી 2:1 આઇસોલેશન ટ્રાન્સફોર્મર દ્વારા 24V ટ્રિગર સિગ્નલને 12V ટ્રિગર સિગ્નલમાં રૂપાંતરિત કરવા માટે, જ્યારે ઉપલા અને નીચલા વોલ્ટેજ અલગતાના કાર્યને પૂર્ણ કરે છે.

પ્રાયોગિક સર્કિટ ડિઝાઇન અને વિશ્લેષણ

સૌ પ્રથમ, બુસ્ટ સર્કિટ, પાછળના તબક્કામાં આઇસોલેશન ટ્રાન્સફોર્મર સર્કિટને કારણેMOSFETઉપકરણને 15V ટ્રિગર સિગ્નલની જરૂર છે, તેથી પ્રથમ કંપનવિસ્તાર 5V ટ્રિગર સિગ્નલને 15V ટ્રિગર સિગ્નલમાં, MC14504 5V સિગ્નલ દ્વારા, 15V સિગ્નલમાં રૂપાંતરિત કરવાની જરૂર છે, અને પછી 15V ડ્રાઇવ સિગ્નલ શેપિંગ, ચેનલ 2 ના આઉટપુટ પર CD4050 દ્વારા. 5V ઇનપુટ સિગ્નલ સાથે જોડાયેલ છે, ચેનલ 1 આઉટપુટ સાથે જોડાયેલ છે ચેનલ 2 5V ઇનપુટ સિગ્નલ સાથે જોડાયેલ છે, ચેનલ 1 15V ટ્રિગર સિગ્નલના આઉટપુટ સાથે જોડાયેલ છે.

બીજો ભાગ આઇસોલેશન ટ્રાન્સફોર્મર સર્કિટ છે, સર્કિટનું મુખ્ય કાર્ય છે: 15V ટ્રિગર સિગ્નલ, થાઇરિસ્ટર વહન પાછળ ટ્રિગર કરવા માટે 12V ટ્રિગર સિગ્નલમાં રૂપાંતરિત થાય છે, અને 15V ટ્રિગર સિગ્નલ અને પાછળ વચ્ચેનું અંતર સ્ટેજ

 

સર્કિટના કાર્યકારી સિદ્ધાંત છે: કારણેMOSFET15V નું IRF640 ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ, તેથી, સૌ પ્રથમ, J1 માં 15V ચોરસ તરંગ સિગ્નલની ઍક્સેસ, રેઝિસ્ટર R4 દ્વારા રેગ્યુલેટર 1N4746 સાથે જોડાયેલ છે, જેથી ટ્રિગર વોલ્ટેજ સ્થિર હોય, પણ ટ્રિગર વોલ્ટેજ ખૂબ ઊંચું ન હોય. , MOSFET ને બાળી નાખ્યું, અને પછી MOSFET IRF640 પર (હકીકતમાં, આ એક સ્વિચિંગ ટ્યુબ છે, ઓપનિંગ અને ક્લોઝિંગના પાછળના છેડાનું નિયંત્રણ. ટર્ન-ઓન અને ટર્ન-ઑફના પાછળના છેડાને નિયંત્રિત કરો), નિયંત્રણ કર્યા પછી MOSFET ના ટર્ન-ઓન અને ટર્ન-ઓફ સમયને નિયંત્રિત કરવામાં સક્ષમ થવા માટે ડ્રાઇવ સિગ્નલનું ફરજ ચક્ર. જ્યારે MOSFET ખુલ્લું હોય છે, તેના D-પોલ ગ્રાઉન્ડની સમકક્ષ, જ્યારે તે ખુલ્લું હોય ત્યારે બંધ હોય છે, બેક-એન્ડ સર્કિટ પછી 24 V ની સમકક્ષ હોય છે. અને ટ્રાન્સફોર્મર 12 V આઉટપુટ સિગ્નલનો જમણો છેડો બનાવવા માટે વોલ્ટેજ ફેરફાર દ્વારા હોય છે. . ટ્રાન્સફોર્મરનો જમણો છેડો રેક્ટિફાયર બ્રિજ સાથે જોડાયેલ છે, અને પછી 12V સિગ્નલ કનેક્ટર X1 માંથી આઉટપુટ છે.

પ્રયોગ દરમિયાન સમસ્યાઓ આવી

સૌ પ્રથમ, જ્યારે પાવર ચાલુ હતો, ત્યારે ફ્યુઝ અચાનક ઉડી ગયો હતો, અને પછીથી જ્યારે સર્કિટ તપાસવામાં આવી ત્યારે જાણવા મળ્યું કે પ્રારંભિક સર્કિટ ડિઝાઇનમાં સમસ્યા હતી. શરૂઆતમાં, તેના સ્વિચિંગ ટ્યુબ આઉટપુટની અસરને વધુ સારી બનાવવા માટે, 24V ગ્રાઉન્ડ અને 15V ગ્રાઉન્ડ સેપરેશન, જે MOSFET ના ગેટ G પોલને S પોલના પાછળના ભાગની સમકક્ષ બનાવે છે તેને સસ્પેન્ડ કરવામાં આવે છે, પરિણામે ખોટા ટ્રિગરિંગ થાય છે. સારવાર 24V અને 15V ગ્રાઉન્ડને એકસાથે જોડવાનું છે, અને ફરીથી પ્રયોગને રોકવા માટે, સર્કિટ સામાન્ય રીતે કાર્ય કરે છે. સર્કિટ કનેક્શન સામાન્ય છે, પરંતુ જ્યારે ડ્રાઇવ સિગ્નલ, MOSFET હીટ, વત્તા ડ્રાઇવ સિગ્નલમાં અમુક સમય માટે ભાગ લેતા હોય ત્યારે, ફ્યુઝ ફૂંકાય છે, અને પછી ડ્રાઇવ સિગ્નલ ઉમેરો, ફ્યુઝ સીધો ફૂંકાય છે. સર્કિટ તપાસો કે ડ્રાઇવ સિગ્નલનું ઉચ્ચ સ્તરીય ફરજ ચક્ર ખૂબ મોટું છે, પરિણામે MOSFET ટર્ન-ઓન સમય ઘણો લાંબો છે. આ સર્કિટની ડિઝાઇન જ્યારે MOSFET ખુલે ત્યારે બનાવે છે, MOSFET ના છેડાઓમાં 24V સીધું ઉમેરવામાં આવે છે, અને વર્તમાન-મર્યાદિત રેઝિસ્ટર ઉમેર્યું નથી, જો વર્તમાન સમય ખૂબ લાંબો હોય, તો MOSFET નુકસાન, સિગ્નલના ફરજ ચક્રને નિયમન કરવાની જરૂરિયાત સામાન્ય રીતે 10% થી 20% અથવા તેથી વધુ મોટી હોઈ શકતી નથી.

2.3 ડ્રાઇવ સર્કિટની ચકાસણી

ડ્રાઇવ સર્કિટની શક્યતા ચકાસવા માટે, અમે તેનો ઉપયોગ એકબીજા સાથે શ્રેણીમાં જોડાયેલા થાઇરિસ્ટર સર્કિટને ચલાવવા માટે કરીએ છીએ, થાઇરિસ્ટરને એકબીજા સાથે શ્રેણીમાં અને પછી સમાંતર વિરોધી, ઇન્ડક્ટિવ રિએક્ટન્સ સાથે સર્કિટની ઍક્સેસ, પાવર સપ્લાય. 380V AC વોલ્ટેજ સ્ત્રોત છે.

આ સર્કિટમાં MOSFET, thyristor Q2, Q8 ટ્રિગર સિગ્નલ G11 અને G12 એક્સેસ દ્વારા, જ્યારે Q5, Q11 G21, G22 એક્સેસ દ્વારા સિગ્નલ ટ્રિગર કરે છે. થાઇરિસ્ટર ગેટ લેવલ પર ડ્રાઇવ સિગ્નલ પ્રાપ્ત થાય તે પહેલાં, થાઇરિસ્ટરની દખલ વિરોધી ક્ષમતાને સુધારવા માટે, થાઇરિસ્ટરનો દરવાજો રેઝિસ્ટર અને કેપેસિટર સાથે જોડાયેલ છે. આ સર્કિટ ઇન્ડક્ટર સાથે જોડાયેલ છે અને પછી મુખ્ય સર્કિટમાં મૂકવામાં આવે છે. મુખ્ય સર્કિટ ટાઈમમાં મોટા ઇન્ડક્ટરને નિયંત્રિત કરવા માટે થાઈરિસ્ટરના વહન કોણને નિયંત્રિત કર્યા પછી, અડધા ચક્રના ટ્રિગર સિગ્નલ તફાવતના તબક્કા કોણના ઉપલા અને નીચલા સર્કિટ, ઉપલા G11 અને G12 એ બધી રીતે ટ્રિગર સિગ્નલ છે. આઇસોલેશન ટ્રાન્સફોર્મરના આગળના તબક્કાના ડ્રાઇવ સર્કિટ દ્વારા એકબીજાથી અલગ કરવામાં આવે છે, નીચલા G21 અને G22 પણ સિગ્નલની જેમ જ અલગ છે. બે ટ્રિગર સિગ્નલો સમાંતર થાઇરિસ્ટર સર્કિટ સકારાત્મક અને નકારાત્મક વહનને ટ્રિગર કરે છે, ઉપરની 1 ચેનલ સમગ્ર થાઇરિસ્ટર સર્કિટ વોલ્ટેજ સાથે જોડાયેલ છે, થાઇરિસ્ટર વહનમાં તે 0 બને છે, અને 2, 3 ચેનલ થાઇરિસ્ટર સર્કિટ સાથે ઉપર અને નીચે જોડાયેલ છે. રોડ ટ્રિગર સિગ્નલો, 4 ચેનલ સમગ્ર થાઇરિસ્ટર પ્રવાહના પ્રવાહ દ્વારા માપવામાં આવે છે.

2 ચેનલે સકારાત્મક ટ્રિગર સિગ્નલ માપ્યું, થાઇરિસ્ટર વહન ઉપર ટ્રિગર થયું, વર્તમાન હકારાત્મક છે; 3 ચેનલે રિવર્સ ટ્રિગર સિગ્નલ માપ્યું, થાઇરિસ્ટર વહનના નીચલા સર્કિટને ટ્રિગર કરે છે, વર્તમાન નકારાત્મક છે.

 

3. સેમિનાર IGBT ડ્રાઇવ સર્કિટના IGBT ડ્રાઇવ સર્કિટમાં ઘણી વિશેષ વિનંતીઓ છે, સારાંશ:

(1) વોલ્ટેજ પલ્સનો વધારો અને પતનનો દર પૂરતો મોટો હોવો જોઈએ. igbt ચાલુ થવા પર, ગેટની વચ્ચેના ગેટ G અને ઉત્સર્જક Eમાં સ્ટીપ ગેટ વોલ્ટેજની આગળની ધાર ઉમેરવામાં આવે છે, જેથી તે ઝડપથી ચાલુ થઈ જાય જેથી તે ટર્ન ઓન લોસ ઘટાડવા માટે સમયસર ટૂંકા વળાંક પર પહોંચી શકે. IGBT શટડાઉનમાં, ગેટ ડ્રાઇવ સર્કિટે IGBT લેન્ડિંગ એજ ખૂબ જ સ્ટીપ શટડાઉન વોલ્ટેજ પ્રદાન કરવું જોઈએ, અને IGBT ગેટ G અને Emitter E ને યોગ્ય રિવર્સ બાયસ વોલ્ટેજ વચ્ચે, જેથી IGBT ફાસ્ટ શટડાઉન, શટડાઉનનો સમય ઓછો કરી શકે. શટડાઉન નુકશાન.

(2) IGBT વહન પછી, ગેટ ડ્રાઇવ સર્કિટ દ્વારા પૂરા પાડવામાં આવેલ ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ અને પ્રવાહ IGBT ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ અને વર્તમાન માટે પૂરતા કંપનવિસ્તાર હોવા જોઈએ, જેથી IGBTનું પાવર આઉટપુટ હંમેશા સંતૃપ્ત સ્થિતિમાં રહે. ક્ષણિક ઓવરલોડ, ગેટ ડ્રાઇવ સર્કિટ દ્વારા પૂરી પાડવામાં આવતી ડ્રાઇવિંગ શક્તિ એ સુનિશ્ચિત કરવા માટે પૂરતી હોવી જોઈએ કે IGBT સંતૃપ્તિ પ્રદેશ અને નુકસાનથી બહાર નીકળતું નથી.

(3) IGBT ગેટ ડ્રાઇવ સર્કિટ યોગ્ય મૂલ્ય લેવા માટે IGBT પોઝિટિવ ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ પ્રદાન કરે છે, ખાસ કરીને IGBTમાં ઉપયોગમાં લેવાતા સાધનોની શોર્ટ-સર્કિટ ઓપરેટિંગ પ્રક્રિયામાં, હકારાત્મક ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ જરૂરી ન્યૂનતમ મૂલ્ય સુધી પસંદ કરવું જોઈએ. IGBT ના ગેટ વોલ્ટેજની સ્વિચિંગ એપ્લિકેશન શ્રેષ્ઠ માટે 10V ~ 15V હોવી જોઈએ.

(4) IGBT શટડાઉન પ્રક્રિયા, ગેટ વચ્ચે લાગુ થયેલ નકારાત્મક પૂર્વગ્રહ વોલ્ટેજ - ઉત્સર્જક IGBT ના ઝડપી શટડાઉન માટે અનુકૂળ છે, પરંતુ તેને ખૂબ મોટી, સામાન્ય ટેક -2V થી -10V સુધી ન લેવી જોઈએ.

(5) મોટા ઇન્ડક્ટિવ લોડ્સના કિસ્સામાં, ખૂબ ઝડપી સ્વિચિંગ હાનિકારક છે, IGBT ઝડપી ટર્ન-ઑન અને ટર્ન-ઑફમાં મોટા ઇન્ડક્ટિવ લોડ્સ, ઉચ્ચ-આવર્તન અને ઉચ્ચ કંપનવિસ્તાર અને સ્પાઇક વોલ્ટેજ Ldi/dt ની સાંકડી પહોળાઈ પેદા કરશે. , સ્પાઇક શોષી લેવા માટે સરળ નથી, ઉપકરણ નુકસાન રચવા માટે સરળ છે.

(6) જેમ કે IGBT નો ઉપયોગ ઉચ્ચ-વોલ્ટેજ સ્થાનો પર થાય છે, તેથી ડ્રાઇવ સર્કિટ ગંભીર અલગતાની સંભવિતતામાં સમગ્ર નિયંત્રણ સર્કિટ સાથે હોવી જોઈએ, હાઇ-સ્પીડ ઓપ્ટિકલ કપલિંગ આઇસોલેશન અથવા ટ્રાન્સફોર્મર કપલિંગ આઇસોલેશનનો સામાન્ય ઉપયોગ.

 

ડ્રાઇવ સર્કિટ સ્થિતિ

સંકલિત તકનીકના વિકાસ સાથે, વર્તમાન IGBT ગેટ ડ્રાઇવ સર્કિટ મોટે ભાગે સંકલિત ચિપ્સ દ્વારા નિયંત્રિત થાય છે. નિયંત્રણ મોડ હજુ પણ મુખ્યત્વે ત્રણ પ્રકારનો છે:

(1) ડાયરેક્ટ ટ્રિગરિંગ પ્રકાર ઇનપુટ અને આઉટપુટ સિગ્નલો વચ્ચે ઇલેક્ટ્રિકલ અલગતા નથી.

(2) પલ્સ ટ્રાન્સફોર્મર આઇસોલેશનનો ઉપયોગ કરીને ઇનપુટ અને આઉટપુટ સિગ્નલો વચ્ચે ટ્રાન્સફોર્મર આઇસોલેશન ડ્રાઇવ, 4000V સુધીનું આઇસોલેશન વોલ્ટેજ લેવલ.

 

નીચે પ્રમાણે 3 અભિગમો છે

નિષ્ક્રિય અભિગમ: સેકન્ડરી ટ્રાન્સફોર્મરના આઉટપુટનો ઉપયોગ આઇજીબીટીને સીધો ચલાવવા માટે થાય છે, વોલ્ટ-સેકન્ડ ઇક્વલાઇઝેશનની મર્યાદાઓને કારણે, તે ફક્ત તે સ્થાનો પર જ લાગુ પડે છે જ્યાં ફરજ ચક્રમાં વધુ ફેરફાર થતો નથી.

સક્રિય પદ્ધતિ: ટ્રાન્સફોર્મર માત્ર આઇસોલેટેડ સિગ્નલો પ્રદાન કરે છે, IGBT ચલાવવા માટે ગૌણ પ્લાસ્ટિક એમ્પ્લીફાયર સર્કિટમાં, ડ્રાઇવ વેવફોર્મ વધુ સારું છે, પરંતુ અલગ સહાયક શક્તિ પ્રદાન કરવાની જરૂર છે.

સ્વ-પુરવઠા પદ્ધતિ: પલ્સ ટ્રાન્સફોર્મરનો ઉપયોગ ડ્રાઇવ એનર્જી અને હાઇ-ફ્રિકવન્સી મોડ્યુલેશન અને લોજિક સિગ્નલોના પ્રસારણ માટે ડિમોડ્યુલેશન ટેક્નોલોજી બંનેને પ્રસારિત કરવા માટે થાય છે, જે મોડ્યુલેશન-ટાઇપ સેલ્ફ-સપ્લાય એપ્રોચ અને ટાઈમ-શેરિંગ ટેક્નોલોજી સેલ્ફ-સપ્લાયમાં વિભાજિત થાય છે, જેમાં મોડ્યુલેશનનો ઉપયોગ થાય છે. જરૂરી પાવર સપ્લાય, હાઇ-ફ્રિકવન્સી મોડ્યુલેશન અને લોજિક સિગ્નલ ટ્રાન્સમિટ કરવા માટે ડિમોડ્યુલેશન ટેક્નોલોજી જનરેટ કરવા માટે રેક્ટિફાયર બ્રિજ પર સ્વ-સપ્લાય પાવર ટાઇપ કરો.

 

3. થાઇરિસ્ટર અને IGBT ડ્રાઇવ વચ્ચેનો સંપર્ક અને તફાવત

Thyristor અને IGBT ડ્રાઇવ સર્કિટ સમાન કેન્દ્ર વચ્ચે તફાવત ધરાવે છે. સૌ પ્રથમ, બે ડ્રાઇવ સર્કિટને સ્વિચિંગ ડિવાઇસ અને કંટ્રોલ સર્કિટને એકબીજાથી અલગ કરવા માટે જરૂરી છે, જેથી ઉચ્ચ-વોલ્ટેજ સર્કિટની નિયંત્રણ સર્કિટ પર અસર ન થાય. પછી, સ્વિચિંગ ડિવાઇસને ચાલુ કરવા માટે બંનેને ગેટ ડ્રાઇવ સિગ્નલ પર લાગુ કરવામાં આવે છે. તફાવત એ છે કે થાઇરિસ્ટર ડ્રાઇવને વર્તમાન સિગ્નલની જરૂર છે, જ્યારે IGBT ને વોલ્ટેજ સિગ્નલની જરૂર છે. સ્વિચિંગ ડિવાઇસના વહન પછી, થાઇરિસ્ટરના દરવાજાએ થાઇરિસ્ટરના ઉપયોગ પરનું નિયંત્રણ ગુમાવ્યું છે, જો તમે થાઇરિસ્ટરને બંધ કરવા માંગતા હો, તો થાઇરિસ્ટર ટર્મિનલ્સને રિવર્સ વોલ્ટેજમાં ઉમેરવું જોઈએ; અને IGBT શટડાઉનને માત્ર નકારાત્મક ડ્રાઇવિંગ વોલ્ટેજના ગેટમાં ઉમેરવાની જરૂર છે, IGBT બંધ કરવા માટે.

 

4. નિષ્કર્ષ

આ પેપર મુખ્યત્વે નેરેટિવના બે ભાગમાં વહેંચાયેલું છે, થાઇરિસ્ટર ડ્રાઇવ સર્કિટનો પહેલો ભાગ નેરેટિવને રોકવાની વિનંતી, અનુરૂપ ડ્રાઇવ સર્કિટની ડિઝાઇન અને સર્કિટની ડિઝાઇન સિમ્યુલેશન દ્વારા વ્યવહારિક થાઇરિસ્ટર સર્કિટ પર લાગુ કરવામાં આવે છે. અને ડ્રાઇવ સર્કિટની શક્યતા સાબિત કરવા માટેના પ્રયોગો, સમસ્યાઓના પૃથ્થકરણમાં જે પ્રાયોગિક પ્રક્રિયાનો સામનો કરવો પડ્યો હતો તે અટકી ગયો અને તેનો ઉકેલ આવ્યો. ડ્રાઇવ સર્કિટની વિનંતી પર આઇજીબીટી પરની મુખ્ય ચર્ચાનો બીજો ભાગ, અને તેના આધારે વર્તમાન સામાન્ય રીતે ઉપયોગમાં લેવાતા આઇજીબીટી ડ્રાઇવ સર્કિટને વધુ રજૂ કરવા અને સિમ્યુલેશન અને પ્રયોગને રોકવા માટે મુખ્ય ઓપ્ટોકોપ્લર આઇસોલેશન ડ્રાઇવ સર્કિટ, સાબિત કરવા માટે. ડ્રાઇવ સર્કિટની શક્યતા.