ઉચ્ચ પાવર MOSFET નો ઉપયોગ અને મલ્ટિમીટર સાથે રિપ્લેસમેન્ટનું પરીક્ષણ કરવું હંમેશા કેમ મુશ્કેલ છે?

હાઇ-પાવર MOSFET એ વિષય પર ચર્ચા કરવા આતુર ઇજનેરોમાંના એક છે, તેથી અમે સામાન્ય અને અસામાન્ય જ્ઞાનનું આયોજન કર્યું છે.MOSFET, હું ઇજનેરોને મદદ કરવાની આશા રાખું છું. ચાલો MOSFET વિશે વાત કરીએ, એક ખૂબ જ મહત્વપૂર્ણ ઘટક!

એન્ટિ-સ્ટેટિક પ્રોટેક્શન

હાઇ-પાવર MOSFET એ ઇન્સ્યુલેટેડ ગેટ ફીલ્ડ ઇફેક્ટ ટ્યુબ છે, ગેટ કોઈ ડાયરેક્ટ કરન્ટ સર્કિટ નથી, ઇનપુટ ઇમ્પિડન્સ અત્યંત ઊંચો છે, સ્ટેટિક ચાર્જ એકત્રીકરણ કરવું ખૂબ જ સરળ છે, પરિણામે ઉચ્ચ વોલ્ટેજ ગેટ હશે અને તેનો સ્ત્રોત હશે. ભંગાણ વચ્ચેનું અવાહક સ્તર.

MOSFET ના મોટાભાગના પ્રારંભિક ઉત્પાદનમાં એન્ટિ-સ્ટેટિક પગલાં હોતા નથી, તેથી કસ્ટડી અને એપ્લિકેશનમાં ખૂબ કાળજી રાખો, ખાસ કરીને નાની પાવર MOSFETs, નાની શક્તિને કારણે MOSFET ઇનપુટ કેપેસીટન્સ પ્રમાણમાં નાનું છે, જ્યારે સ્થિર વીજળીના સંપર્કમાં આવે છે ઉચ્ચ વોલ્ટેજ, સરળતાથી ઇલેક્ટ્રોસ્ટેટિક બ્રેકડાઉનને કારણે થાય છે.

હાઇ-પાવર MOSFET નું તાજેતરનું ઉન્નતીકરણ પ્રમાણમાં મોટો તફાવત છે, સૌ પ્રથમ, મોટા ઇનપુટ કેપેસીટન્સના કાર્યને કારણે પણ મોટી છે, જેથી સ્થિર વીજળી સાથેના સંપર્કમાં ચાર્જિંગ પ્રક્રિયા હોય છે, પરિણામે નાનું વોલ્ટેજ થાય છે, જે ભંગાણનું કારણ બને છે. નાના થવાની સંભાવના, અને પછી ફરીથી, હવે આંતરિક ગેટમાં ઉચ્ચ-પાવર MOSFET અને ગેટનો સ્ત્રોત અને સુરક્ષિત રેગ્યુલેટર ડીઝેડનો સ્ત્રોત, રેગ્યુલેટર ડાયોડ વોલ્ટેજ રેગ્યુલેટર મૂલ્યના રક્ષણમાં સ્થિર એમ્બેડેડ, અસરકારક રીતે નીચે ગેટ અને ઇન્સ્યુલેટીંગ લેયરના સ્ત્રોતને સુરક્ષિત કરો, વિવિધ પાવર, MOSFET પ્રોટેક્શન રેગ્યુલેટરના વિવિધ મોડલ ડાયોડ વોલ્ટેજ રેગ્યુલેટરની કિંમત અલગ છે.

ઉચ્ચ-શક્તિ MOSFET આંતરિક સુરક્ષા પગલાં હોવા છતાં, અમે એન્ટિ-સ્ટેટિક ઓપરેટિંગ પ્રક્રિયાઓ અનુસાર કાર્ય કરવું જોઈએ, જે યોગ્ય જાળવણી સ્ટાફ પાસે હોવો જોઈએ.

શોધ અને બદલી

ટેલિવિઝન અને ઇલેક્ટ્રિકલ સાધનોના સમારકામમાં, વિવિધ ઘટકોના નુકસાનનો સામનો કરવો પડશે,MOSFETતે પણ તેમની વચ્ચે છે, જે અમારા જાળવણી કર્મચારીઓ સામાન્ય રીતે ઉપયોગમાં લેવાતા મલ્ટિમીટરનો ઉપયોગ કેવી રીતે કરે છે તે સારું અને ખરાબ, સારું અને ખરાબ MOSFET નક્કી કરે છે. MOSFET ના રિપ્લેસમેન્ટમાં જો ત્યાં કોઈ સમાન ઉત્પાદક અને સમાન મોડેલ ન હોય, તો સમસ્યાને કેવી રીતે બદલવી.

 

1, ઉચ્ચ-શક્તિ MOSFET પરીક્ષણ:

ક્રિસ્ટલ ટ્રાન્ઝિસ્ટર અથવા ડાયોડના માપમાં સામાન્ય ઇલેક્ટ્રિકલ ટીવી રિપેર કર્મચારીઓ તરીકે, સામાન્ય રીતે સારા અને ખરાબ ટ્રાન્ઝિસ્ટર અથવા ડાયોડ નક્કી કરવા માટે સામાન્ય મલ્ટિમીટરનો ઉપયોગ કરે છે, જો કે ટ્રાન્ઝિસ્ટર અથવા ડાયોડ ઇલેક્ટ્રિકલ પરિમાણોના ચુકાદાની પુષ્ટિ કરી શકાતી નથી, પરંતુ જ્યાં સુધી ક્રિસ્ટલ ટ્રાન્ઝિસ્ટરની પુષ્ટિ માટે "સારા" અને "ખરાબ" અથવા "ખરાબ" ની પુષ્ટિ કરવા માટે પદ્ધતિ યોગ્ય છે. "ખરાબ" અથવા કોઈ સમસ્યા નથી. તેવી જ રીતે, MOSFET પણ હોઈ શકે છે

તેના "સારા" અને "ખરાબ" ને નિર્ધારિત કરવા માટે મલ્ટિમીટર લાગુ કરવા માટે, સામાન્ય જાળવણીમાંથી, જરૂરિયાતોને પણ પૂરી કરી શકે છે.

તપાસ માટે પોઇન્ટર પ્રકારના મલ્ટિમીટરનો ઉપયોગ કરવો આવશ્યક છે (ડિજિટલ મીટર સેમિકન્ડક્ટર ઉપકરણોને માપવા માટે યોગ્ય નથી). પાવર-ટાઇપ MOSFET સ્વિચિંગ ટ્યુબ માટે એન-ચેનલ એન્હાન્સમેન્ટ છે, ઉત્પાદકોના ઉત્પાદનો લગભગ સમાન TO-220F પેકેજ ફોર્મનો ઉપયોગ કરે છે (ફીલ્ડ ઇફેક્ટ સ્વિચિંગ ટ્યુબના 50-200W ની શક્તિ માટે સ્વિચિંગ પાવર સપ્લાયનો સંદર્ભ આપે છે) , ત્રણ ઇલેક્ટ્રોડ ગોઠવણી પણ સુસંગત છે, એટલે કે, ત્રણ

પિન ડાઉન કરો, પ્રિન્ટ મૉડલ પોતાની તરફ, ગેટ માટે ડાબી પિન, સ્ત્રોત માટે જમણી ટેસ્ટ પિન, ગટર માટે મધ્ય પિન.

(1) મલ્ટિમીટર અને સંબંધિત તૈયારીઓ:

સૌ પ્રથમ, માપન પહેલા, મલ્ટિમીટરનો ઉપયોગ કરવામાં સક્ષમ હોવું જોઈએ, ખાસ કરીને ઓહ્મ ગિયરનો ઉપયોગ, ઓહ્મ બ્લોકને સમજવા માટે ક્રિસ્ટલ ટ્રાન્ઝિસ્ટરને માપવા માટે ઓહ્મ બ્લોકની સાચી એપ્લિકેશન હશે અનેMOSFET.

મલ્ટિમીટર સાથે ઓહ્મ બ્લોક ઓહ્મ સેન્ટર સ્કેલ ખૂબ મોટું હોઈ શકતું નથી, પ્રાધાન્ય 12 Ω (12 Ω માટે 500-ટાઈપ ટેબલ) કરતા ઓછું હોઈ શકે છે, જેથી R × 1 બ્લોકમાં આગળના PN જંકશન માટે મોટો પ્રવાહ હોઈ શકે. ચુકાદાની લાક્ષણિકતાઓ વધુ સચોટ છે. મલ્ટિમીટર R × 10K બ્લોકની આંતરિક બેટરી 9V કરતાં શ્રેષ્ઠ છે, જેથી PN જંકશનને માપવામાં વ્યસ્ત લિકેજ પ્રવાહ વધુ સચોટ છે, અન્યથા લિકેજને માપી શકાતો નથી.

હવે ઉત્પાદન પ્રક્રિયાની પ્રગતિને લીધે, ફેક્ટરી સ્ક્રિનિંગ, પરીક્ષણ ખૂબ જ કડક છે, અમે સામાન્ય રીતે જ્યાં સુધી MOSFET ના ચુકાદા લીક ન થાય ત્યાં સુધી નિર્ણય કરીએ છીએ, શોર્ટ સર્કિટ દ્વારા તૂટી પડતું નથી, આંતરિક બિન-સર્કિટિંગ, હોઈ શકે છે. માર્ગ પર વિસ્તૃત, પદ્ધતિ અત્યંત સરળ છે:

મલ્ટિમીટર R × 10K બ્લોકનો ઉપયોગ કરીને; R × 10K બ્લોકની આંતરિક બેટરી સામાન્ય રીતે 9V વત્તા 1.5V થી 10.5V સુધીની હોય છે આ વોલ્ટેજને સામાન્ય રીતે પર્યાપ્ત PN જંકશન વ્યુત્ક્રમ લિકેજ તરીકે ગણવામાં આવે છે, મલ્ટિમીટરની લાલ પેન નકારાત્મક સંભવિત છે (આંતરિક બેટરીના નકારાત્મક ટર્મિનલ સાથે જોડાયેલ), મલ્ટિમીટરની બ્લેક પેન હકારાત્મક સંભવિત છે (આંતરિક બેટરીના હકારાત્મક ટર્મિનલ સાથે જોડાયેલ છે).

(2) પરીક્ષણ પ્રક્રિયા:

લાલ પેનને MOSFET S ના સ્ત્રોત સાથે જોડો; બ્લેક પેનને MOSFET D ના ગટર સાથે જોડો. આ સમયે, સોયનો સંકેત અનંત હોવો જોઈએ. જો ત્યાં ઓહ્મિક ઇન્ડેક્સ હોય, જે દર્શાવે છે કે પરીક્ષણ હેઠળની ટ્યુબમાં લિકેજની ઘટના છે, તો આ ટ્યુબનો ઉપયોગ કરી શકાતો નથી.

ઉપરોક્ત સ્થિતિ જાળવી રાખો; આ સમયે ગેટ અને ડ્રેઇન સાથે જોડાયેલા 100K ~ 200K રેઝિસ્ટર સાથે; આ સમયે સોયએ ઓહ્મની સંખ્યા જેટલી નાની હોય તેટલી સારી રીતે સૂચવવી જોઈએ, સામાન્ય રીતે 0 ઓહ્મ સુધી સૂચવી શકાય છે, આ વખતે તે MOSFET ગેટ ચાર્જિંગ પર 100K રેઝિસ્ટર દ્વારા હકારાત્મક ચાર્જ છે, પરિણામે ગેટ ઇલેક્ટ્રિક ફિલ્ડમાં પરિણમે છે. વાહક ચેનલ દ્વારા ઉત્પન્ન થયેલ ઇલેક્ટ્રિક ક્ષેત્ર ડ્રેઇન અને સ્ત્રોત વહનમાં પરિણમે છે, તેથી ડિસ્ચાર્જ કામગીરી સારી છે તે સાબિત કરવા માટે મલ્ટિમીટર સોય ડિફ્લેક્શન, ડિફ્લેક્શન એંગલ મોટો છે (ઓહ્મનો ઇન્ડેક્સ નાનો છે).

અને પછી રેઝિસ્ટર દૂર સાથે જોડાયેલ, પછી મલ્ટિમીટર પોઇન્ટર હજુ પણ ઇન્ડેક્સ પર MOSFET યથાવત રહે હોવી જોઈએ. જોકે રેઝિસ્ટરને દૂર કરવા માટે, પરંતુ કારણ કે ચાર્જ દ્વારા ચાર્જ કરાયેલા ગેટ પરનો રેઝિસ્ટર અદૃશ્ય થઈ જતો નથી, ગેટ ઇલેક્ટ્રિક ફિલ્ડ જાળવવાનું ચાલુ રાખે છે આંતરિક વાહક ચેનલ હજુ પણ જાળવી રાખવામાં આવે છે, જે અવાહક ગેટ પ્રકાર MOSFET ની લાક્ષણિકતાઓ છે.

જો રેઝિસ્ટર સોયને દૂર કરવા માટે ધીમે ધીમે અને ધીમે ધીમે ઉચ્ચ પ્રતિકાર પર પાછા આવશે અથવા તો અનંતતા પર પાછા આવશે, તે ધ્યાનમાં લેવા માટે માપવામાં આવેલ ટ્યુબ ગેટ લિકેજ.

આ સમયે, વાયર સાથે, પરીક્ષણ હેઠળના ટ્યુબના દ્વાર અને સ્ત્રોત સાથે જોડાયેલ, મલ્ટિમીટરનું પોઇન્ટર તરત જ અનંત પર પાછા ફર્યા. વાયરનું જોડાણ જેથી માપેલ MOSFET, ગેટ ચાર્જ રિલીઝ, આંતરિક ઇલેક્ટ્રિક ક્ષેત્ર અદૃશ્ય થઈ જાય; વાહક ચેનલ પણ અદૃશ્ય થઈ જાય છે, તેથી પ્રતિકાર વચ્ચેનો ડ્રેઇન અને સ્ત્રોત અને અનંત બની જાય છે.

2, હાઇ-પાવર MOSFET રિપ્લેસમેન્ટ

ટેલિવિઝન અને તમામ પ્રકારના વિદ્યુત ઉપકરણોના સમારકામમાં, ઘટક નુકસાનનો સામનો કરતી વખતે સમાન પ્રકારના ઘટકો સાથે બદલવું જોઈએ. જો કે, કેટલીકવાર સમાન ઘટકો હાથમાં નથી હોતા, અન્ય પ્રકારના રિપ્લેસમેન્ટનો ઉપયોગ કરવો જરૂરી છે, જેથી આપણે કામગીરીના તમામ પાસાઓ, પરિમાણો, પરિમાણો વગેરેને ધ્યાનમાં લેવું જોઈએ, જેમ કે લાઇન આઉટપુટ ટ્યુબની અંદર ટેલિવિઝન, જેમ કે જ્યાં સુધી વોલ્ટેજ, કરંટ, પાવરને ધ્યાનમાં લેવામાં આવે ત્યાં સુધી સામાન્ય રીતે બદલી શકાય છે (લાઇન આઉટપુટ ટ્યુબ દેખાવના લગભગ સમાન પરિમાણો), અને પાવર મોટી અને વધુ સારી હોય છે.

MOSFET રિપ્લેસમેન્ટ માટે, જો કે આ સિદ્ધાંત પણ, શ્રેષ્ઠ પ્રોટોટાઇપ કરવા માટે શ્રેષ્ઠ છે, ખાસ કરીને, શક્તિને વધુ મોટી બનાવવાનો પીછો કરશો નહીં, કારણ કે શક્તિ મોટી છે; ઇનપુટ કેપેસીટન્સ મોટી છે, બદલાયેલ છે અને ઉત્તેજના સર્કિટ્સ પ્રતિકાર મૂલ્યના કદના સિંચાઈ સર્કિટના ચાર્જ વર્તમાન મર્યાદિત રેઝિસ્ટરના ઉત્તેજના સાથે મેળ ખાતા નથી અને MOSFET ની ઇનપુટ કેપેસીટન્સ મોટી શક્તિની પસંદગી સાથે સંબંધિત છે. ક્ષમતા મોટી છે, પરંતુ ઇનપુટ કેપેસીટન્સ પણ મોટી છે, અને ઇનપુટ કેપેસીટન્સ પણ મોટી છે, અને પાવર મોટી નથી.

ઇનપુટ કેપેસીટન્સ પણ મોટી છે, ઉત્તેજના સર્કિટ સારી નથી, જે બદલામાં MOSFET ચાલુ અને બંધ પ્રદર્શનને વધુ ખરાબ કરશે. આ પરિમાણના ઇનપુટ કેપેસીટન્સને ધ્યાનમાં લેતા, MOSFET ના વિવિધ મોડલ્સની બદલી બતાવે છે.

ઉદાહરણ તરીકે, 42-ઇંચ એલસીડી ટીવી બેકલાઇટ હાઇ-વોલ્ટેજ બોર્ડ નુકસાન છે, આંતરિક હાઇ-પાવર MOSFET નુકસાનની તપાસ કર્યા પછી, કારણ કે રિપ્લેસમેન્ટનો કોઈ પ્રોટોટાઇપ નંબર નથી, વોલ્ટેજની પસંદગી, વર્તમાન, પાવર કરતાં ઓછી નથી. મૂળ MOSFET રિપ્લેસમેન્ટ, પરિણામ એ છે કે બેકલાઇટ ટ્યુબ સતત ફ્લિકર (સ્ટાર્ટઅપ મુશ્કેલીઓ) હોવાનું જણાય છે, અને અંતે સમસ્યાને ઉકેલવા માટે સમાન પ્રકારની મૂળ સાથે બદલવામાં આવે છે.

ઉચ્ચ-શક્તિવાળા MOSFET ને થયેલ નુકસાન, પરફ્યુઝન સર્કિટના તેના પેરિફેરલ ઘટકોને પણ બદલવું આવશ્યક છે, કારણ કે MOSFET ને નુકસાન MOSFET ના નુકસાનને કારણે નબળા પરફ્યુઝન સર્કિટ ઘટકો પણ હોઈ શકે છે. જો MOSFET પોતે ક્ષતિગ્રસ્ત થઈ ગયું હોય તો પણ, MOSFET તૂટી જાય તે ક્ષણે, પરફ્યુઝન સર્કિટના ઘટકોને પણ નુકસાન થાય છે અને તેને બદલવું જોઈએ.

જેમ અમારી પાસે A3 સ્વિચિંગ પાવર સપ્લાયના સમારકામમાં ઘણા હોંશિયાર રિપેર માસ્ટર છે; જ્યાં સુધી સ્વિચિંગ ટ્યુબ તૂટેલી જોવા મળે છે, તે 2SC3807 ઉત્તેજના ટ્યુબનો આગળનો ભાગ પણ છે અને તે જ કારણસર બદલાય છે (જોકે 2SC3807 ટ્યુબ, મલ્ટિમીટર વડે માપવામાં આવે છે) સારી છે.