ની મૂળભૂત પાવર સપ્લાય માળખુંઝડપી ચાર્જિંગQC ફ્લાયબેક + સેકન્ડરી સાઇડ (સેકન્ડરી) સિંક્રનસ રેક્ટિફિકેશન SSR નો ઉપયોગ કરે છે. ફ્લાયબેક કન્વર્ટર માટે, ફીડબેક સેમ્પલિંગ પદ્ધતિ અનુસાર, તેને વિભાજિત કરી શકાય છે: પ્રાથમિક બાજુ (પ્રાથમિક) નિયમન અને ગૌણ બાજુ (ગૌણ) નિયમન; PWM નિયંત્રકના સ્થાન અનુસાર. તેને વિભાજિત કરી શકાય છે: પ્રાથમિક બાજુ (પ્રાથમિક) નિયંત્રણ અને ગૌણ બાજુ (ગૌણ) નિયંત્રણ. એવું લાગે છે કે તેને MOSFET સાથે કોઈ લેવાદેવા નથી. તેથી,ઓલુકેયપૂછવું છે: MOSFET ક્યાં છુપાયેલું છે? તે શું ભૂમિકા ભજવી હતી?
1. પ્રાથમિક બાજુ (પ્રાથમિક) ગોઠવણ અને ગૌણ બાજુ (ગૌણ) ગોઠવણ
આઉટપુટ વોલ્ટેજની સ્થિરતાને ઇનપુટ વોલ્ટેજ અને આઉટપુટ લોડમાં ફેરફારને સમાયોજિત કરવા માટે PWM મુખ્ય નિયંત્રકને તેની બદલાતી માહિતી મોકલવા માટે પ્રતિસાદ લિંકની જરૂર છે. વિવિધ પ્રતિસાદ નમૂના પદ્ધતિઓ અનુસાર, આકૃતિ 1 અને 2 માં બતાવ્યા પ્રમાણે, તેને પ્રાથમિક બાજુ (પ્રાથમિક) ગોઠવણ અને ગૌણ બાજુ (ગૌણ) ગોઠવણમાં વિભાજિત કરી શકાય છે.
પ્રાથમિક બાજુ (પ્રાથમિક) નિયમનનો પ્રતિસાદ સંકેત સીધા આઉટપુટ વોલ્ટેજમાંથી લેવામાં આવતો નથી, પરંતુ સહાયક વિન્ડિંગ અથવા પ્રાથમિક પ્રાથમિક વિન્ડિંગમાંથી લેવામાં આવે છે જે આઉટપુટ વોલ્ટેજ સાથે ચોક્કસ પ્રમાણસર સંબંધ જાળવી રાખે છે. તેના લક્ષણો છે:
① પરોક્ષ પ્રતિસાદ પદ્ધતિ, નબળા લોડ નિયમન દર અને નબળી ચોકસાઈ;
②. સરળ અને ઓછી કિંમત;
③. આઇસોલેશન ઓપ્ટોકોપ્લરની જરૂર નથી.
સેકન્ડરી સાઇડ (સેકન્ડરી) રેગ્યુલેશન માટે ફીડબેક સિગ્નલ ઓપ્ટોકોપ્લર અને TL431 નો ઉપયોગ કરીને આઉટપુટ વોલ્ટેજમાંથી સીધું લેવામાં આવે છે. તેના લક્ષણો છે:
① પ્રત્યક્ષ પ્રતિસાદ પદ્ધતિ, સારા લોડ નિયમન દર, રેખીય નિયમન દર અને ઉચ્ચ ચોકસાઇ;
②. ગોઠવણ સર્કિટ જટિલ અને ખર્ચાળ છે;
③. ઓપ્ટોકોપ્લરને અલગ પાડવું જરૂરી છે, જે સમય જતાં વૃદ્ધત્વની સમસ્યાઓ ધરાવે છે.
2. ગૌણ બાજુ (ગૌણ) ડાયોડ સુધારણા અનેMOSFETસિંક્રનસ સુધારણા SSR
ફ્લાયબેક કન્વર્ટરની ગૌણ બાજુ (સેકન્ડરી) સામાન્ય રીતે ઝડપી ચાર્જિંગના મોટા આઉટપુટ પ્રવાહને કારણે ડાયોડ સુધારણાનો ઉપયોગ કરે છે. ખાસ કરીને ડાયરેક્ટ ચાર્જિંગ અથવા ફ્લેશ ચાર્જિંગ માટે, આઉટપુટ વર્તમાન 5A જેટલું ઊંચું છે. કાર્યક્ષમતામાં સુધારો કરવા માટે, MOSFET નો ઉપયોગ રેક્ટિફાયર તરીકે ડાયોડને બદલે કરવામાં આવે છે, જેને સેકન્ડરી (સેકન્ડરી) સિંક્રનસ રેક્ટિફિકેશન SSR કહેવામાં આવે છે, આકૃતિ 3 અને 4 માં બતાવ્યા પ્રમાણે.
ગૌણ બાજુ (ગૌણ) ડાયોડ સુધારણાની લાક્ષણિકતાઓ:
①. સરળ, કોઈ વધારાના ડ્રાઇવ નિયંત્રકની જરૂર નથી, અને કિંમત ઓછી છે;
② જ્યારે આઉટપુટ વર્તમાન મોટો હોય છે, ત્યારે કાર્યક્ષમતા ઓછી હોય છે;
③. ઉચ્ચ વિશ્વસનીયતા.
ગૌણ બાજુ (સેકન્ડરી) MOSFET સિંક્રનસ સુધારણાની વિશેષતાઓ:
①. જટિલ, વધારાના ડ્રાઇવ નિયંત્રક અને ઊંચી કિંમતની જરૂર છે;
②. જ્યારે આઉટપુટ વર્તમાન મોટી હોય છે, ત્યારે કાર્યક્ષમતા ઊંચી હોય છે;
③. ડાયોડ્સની તુલનામાં, તેમની વિશ્વસનીયતા ઓછી છે.
પ્રેક્ટિકલ એપ્લિકેશન્સમાં, સિંક્રનસ રેક્ટિફિકેશન SSR ના MOSFETને સામાન્ય રીતે આકૃતિ 5 માં બતાવ્યા પ્રમાણે, ડ્રાઇવિંગની સુવિધા આપવા માટે ઊંચા છેડાથી નીચા છેડે ખસેડવામાં આવે છે.
સિંક્રનસ રેક્ટિફિકેશન SSR ના હાઇ-એન્ડ MOSFET ની લાક્ષણિકતાઓ:
①. તેને બુટસ્ટ્રેપ ડ્રાઇવ અથવા ફ્લોટિંગ ડ્રાઇવની જરૂર છે, જે ખર્ચાળ છે;
②. સારી EMI.
સિંક્રનસ સુધારણા SSR MOSFET ની લાક્ષણિકતાઓ નીચા છેડે મૂકવામાં આવી છે:
① ડાયરેક્ટ ડ્રાઇવ, સરળ ડ્રાઇવ અને ઓછી કિંમત;
②. નબળી EMI.
3. પ્રાથમિક બાજુ (પ્રાથમિક) નિયંત્રણ અને ગૌણ બાજુ (ગૌણ) નિયંત્રણ
PWM મુખ્ય નિયંત્રક પ્રાથમિક બાજુ (પ્રાથમિક) પર મૂકવામાં આવે છે. આ રચનાને પ્રાથમિક બાજુ (પ્રાથમિક) નિયંત્રણ કહેવામાં આવે છે. આઉટપુટ વોલ્ટેજ, લોડ રેગ્યુલેશન રેટ અને લીનિયર રેગ્યુલેશન રેટની ચોકસાઈને સુધારવા માટે, પ્રાથમિક બાજુ (પ્રાથમિક) નિયંત્રણને ફીડબેક લિંક બનાવવા માટે બાહ્ય ઓપ્ટોકપ્લર અને TL431ની જરૂર છે. સિસ્ટમ બેન્ડવિડ્થ નાની છે અને પ્રતિભાવની ઝડપ ધીમી છે.
જો PWM મુખ્ય નિયંત્રક ગૌણ બાજુ (ગૌણ) પર મૂકવામાં આવે છે, તો optocoupler અને TL431 દૂર કરી શકાય છે, અને આઉટપુટ વોલ્ટેજને સીધા જ ઝડપી પ્રતિભાવ સાથે નિયંત્રિત અને ગોઠવી શકાય છે. આ રચનાને ગૌણ (ગૌણ) નિયંત્રણ કહેવામાં આવે છે.
પ્રાથમિક બાજુ (પ્રાથમિક) નિયંત્રણની વિશેષતાઓ:
①. Optocoupler અને TL431 જરૂરી છે, અને પ્રતિભાવ ગતિ ધીમી છે;
②. આઉટપુટ પ્રોટેક્શનની ઝડપ ધીમી છે.
③. સિંક્રનસ રેક્ટિફિકેશન સતત મોડ CCM માં, ગૌણ બાજુ (સેકન્ડરી) ને સિંક્રનાઇઝેશન સિગ્નલની જરૂર છે.
ગૌણ (ગૌણ) નિયંત્રણની વિશેષતાઓ:
①. આઉટપુટ સીધું જ શોધી કાઢવામાં આવે છે, કોઈ optocoupler અને TL431 ની જરૂર નથી, પ્રતિભાવ ઝડપ ઝડપી છે, અને આઉટપુટ રક્ષણ ઝડપ ઝડપી છે;
②. ગૌણ બાજુ (સેકન્ડરી) સિંક્રનસ રેક્ટિફિકેશન MOSFET સિંક્રનાઇઝેશન સિગ્નલોની જરૂરિયાત વિના સીધી રીતે ચલાવવામાં આવે છે; પ્રાથમિક બાજુ (પ્રાથમિક) હાઇ-વોલ્ટેજ MOSFET ના ડ્રાઇવિંગ સિગ્નલોને પ્રસારિત કરવા માટે પલ્સ ટ્રાન્સફોર્મર્સ, મેગ્નેટિક કપ્લિંગ્સ અથવા કેપેસિટીવ કપ્લર્સ જેવા વધારાના ઉપકરણોની જરૂર છે.
③. પ્રાથમિક બાજુ (પ્રાથમિક) ને પ્રારંભિક સર્કિટની જરૂર છે, અથવા ગૌણ બાજુ (ગૌણ) માં પ્રારંભ કરવા માટે સહાયક પાવર સપ્લાય છે.
4. સતત CCM મોડ અથવા અખંડિત DCM મોડ
ફ્લાયબેક કન્વર્ટર સતત CCM મોડ અથવા અખંડિત DCM મોડમાં કામ કરી શકે છે. જો સ્વિચિંગ ચક્રના અંતે ગૌણ (ગૌણ) વિન્ડિંગમાં પ્રવાહ 0 સુધી પહોંચે છે, તો તેને અવ્યવસ્થિત DCM મોડ કહેવામાં આવે છે. જો સ્વિચિંગ ચક્રના અંતે ગૌણ (ગૌણ) વિન્ડિંગનો પ્રવાહ 0 ન હોય, તો તેને સતત CCM મોડ કહેવામાં આવે છે, જેમ કે આકૃતિ 8 અને 9 માં બતાવ્યા પ્રમાણે.
આકૃતિ 8 અને આકૃતિ 9 પરથી જોઈ શકાય છે કે ફ્લાયબેક કન્વર્ટરના વિવિધ ઓપરેટિંગ મોડ્સમાં સિંક્રનસ રેક્ટિફિકેશન SSR ની કાર્યકારી સ્થિતિઓ અલગ છે, જેનો અર્થ એ પણ છે કે સિંક્રનસ રેક્ટિફિકેશન SSR ની નિયંત્રણ પદ્ધતિઓ પણ અલગ હશે.
જો ડેડ ટાઇમને અવગણવામાં આવે છે, જ્યારે સતત CCM મોડમાં કામ કરે છે, સિંક્રનસ સુધારણા SSR માં બે સ્થિતિઓ હોય છે:
①. પ્રાથમિક બાજુ (પ્રાથમિક) ઉચ્ચ-વોલ્ટેજ MOSFET ચાલુ છે, અને ગૌણ બાજુ (સેકન્ડરી) સિંક્રનસ સુધારણા MOSFET બંધ છે;
②. પ્રાથમિક બાજુ (પ્રાથમિક) ઉચ્ચ-વોલ્ટેજ MOSFET બંધ છે, અને ગૌણ બાજુ (સેકન્ડરી) સિંક્રનસ સુધારણા MOSFET ચાલુ છે.
તેવી જ રીતે, જો ડેડ ટાઇમને અવગણવામાં આવે છે, તો સિંક્રનસ રેક્ટિફિકેશન SSR માં ત્રણ અવસ્થાઓ હોય છે જ્યારે અસંતુલિત DCM મોડમાં કાર્ય કરે છે:
①. પ્રાથમિક બાજુ (પ્રાથમિક) ઉચ્ચ-વોલ્ટેજ MOSFET ચાલુ છે, અને ગૌણ બાજુ (સેકન્ડરી) સિંક્રનસ સુધારણા MOSFET બંધ છે;
②. પ્રાથમિક બાજુ (પ્રાથમિક) ઉચ્ચ-વોલ્ટેજ MOSFET બંધ છે, અને ગૌણ બાજુ (સેકન્ડરી) સિંક્રનસ સુધારણા MOSFET ચાલુ છે;
③. પ્રાથમિક બાજુ (પ્રાથમિક) ઉચ્ચ-વોલ્ટેજ MOSFET બંધ છે, અને ગૌણ બાજુ (સેકન્ડરી) સિંક્રનસ સુધારણા MOSFET બંધ છે.
5. સતત CCM મોડમાં ગૌણ બાજુ (સેકન્ડરી) સિંક્રનસ સુધારણા SSR
જો ઝડપી-ચાર્જ ફ્લાયબેક કન્વર્ટર સતત CCM મોડમાં કાર્ય કરે છે, તો પ્રાથમિક બાજુ (પ્રાથમિક) નિયંત્રણ પદ્ધતિ, ગૌણ બાજુ (ગૌણ) સિંક્રનસ સુધારણા MOSFET ને શટડાઉનને નિયંત્રિત કરવા માટે પ્રાથમિક બાજુ (પ્રાથમિક) તરફથી સિંક્રનાઇઝેશન સિગ્નલની જરૂર છે.
નીચેની બે પદ્ધતિઓનો ઉપયોગ સામાન્ય રીતે ગૌણ બાજુ (સેકન્ડરી) ના સિંક્રનસ ડ્રાઇવ સિગ્નલ મેળવવા માટે થાય છે:
(1) આકૃતિ 10 માં બતાવ્યા પ્રમાણે, ગૌણ (સેકન્ડરી) વિન્ડિંગનો સીધો ઉપયોગ કરો;
(2) આકૃતિ 12 માં બતાવ્યા પ્રમાણે, પ્રાથમિક બાજુ (પ્રાથમિક) થી ગૌણ બાજુ (ગૌણ) સુધી સિંક્રનસ ડ્રાઇવ સિગ્નલ ટ્રાન્સમિટ કરવા માટે પલ્સ ટ્રાન્સફોર્મર્સ જેવા વધારાના અલગતા ઘટકોનો ઉપયોગ કરો.
સિંક્રનસ ડ્રાઇવ સિગ્નલ મેળવવા માટે ગૌણ (ગૌણ) વિન્ડિંગનો સીધો ઉપયોગ કરીને, સિંક્રનસ ડ્રાઇવ સિગ્નલની ચોકસાઈને નિયંત્રિત કરવી ખૂબ મુશ્કેલ છે, અને ઑપ્ટિમાઇઝ કાર્યક્ષમતા અને વિશ્વસનીયતા પ્રાપ્ત કરવી મુશ્કેલ છે. કેટલીક કંપનીઓ અંકુશની ચોકસાઈને સુધારવા માટે ડિજિટલ નિયંત્રકોનો પણ ઉપયોગ કરે છે, જેમ કે આકૃતિ 11 શોમાં દર્શાવવામાં આવ્યું છે.
સિંક્રનસ ડ્રાઇવિંગ સિગ્નલો મેળવવા માટે પલ્સ ટ્રાન્સફોર્મરનો ઉપયોગ ઉચ્ચ ચોકસાઈ ધરાવે છે, પરંતુ તેની કિંમત પ્રમાણમાં વધારે છે.
સેકન્ડરી સાઇડ (સેકન્ડરી) કંટ્રોલ મેથડ સામાન્ય રીતે પલ્સ ટ્રાન્સફોર્મર અથવા મેગ્નેટિક કપલિંગ મેથડનો ઉપયોગ કરે છે સિંક્રનસ ડ્રાઇવ સિગ્નલને સેકન્ડરી સાઇડ (સેકન્ડરી) થી પ્રાથમિક બાજુ (પ્રાથમિક) સુધી ટ્રાન્સમિટ કરવા માટે, આકૃતિ 7.v માં બતાવ્યા પ્રમાણે.
6. અખંડ DCM મોડમાં ગૌણ બાજુ (સેકન્ડરી) સિંક્રનસ સુધારણા SSR
જો ઝડપી ચાર્જ ફ્લાયબેક કન્વર્ટર અસંતુલિત DCM મોડમાં કાર્ય કરે છે. પ્રાથમિક બાજુ (પ્રાથમિક) નિયંત્રણ પદ્ધતિ અથવા ગૌણ બાજુ (ગૌણ) નિયંત્રણ પદ્ધતિને ધ્યાનમાં લીધા વિના, સિંક્રનસ રેક્ટિફિકેશન MOSFET ના D અને S વોલ્ટેજ ટીપાં સીધા શોધી અને નિયંત્રિત કરી શકાય છે.
(1) સિંક્રનસ રેક્ટિફિકેશન MOSFET ચાલુ કરવું
જ્યારે સિંક્રનસ રેક્ટિફિકેશન MOSFET ના VDS નો વોલ્ટેજ સકારાત્મકમાંથી નકારાત્મકમાં બદલાય છે, ત્યારે આંતરિક પરોપજીવી ડાયોડ ચાલુ થાય છે, અને ચોક્કસ વિલંબ પછી, સિંક્રનસ સુધારણા MOSFET ચાલુ થાય છે, આકૃતિ 13 માં બતાવ્યા પ્રમાણે.
(2) સિંક્રનસ રેક્ટિફિકેશન MOSFET બંધ કરવું
સિંક્રનસ સુધારણા MOSFET ચાલુ થયા પછી, VDS=-Io*Rdson. જ્યારે સેકન્ડરી (સેકન્ડરી) વિન્ડિંગ કરંટ ઘટીને 0 થાય છે, એટલે કે જ્યારે વર્તમાન ડિટેક્શન સિગ્નલ VDS નું વોલ્ટેજ ઋણથી 0 માં બદલાય છે, ત્યારે સિંક્રનસ રેક્ટિફિકેશન MOSFET બંધ થઈ જાય છે, આકૃતિ 13 માં બતાવ્યા પ્રમાણે.
પ્રેક્ટિકલ એપ્લીકેશનમાં, સેકન્ડરી (સેકન્ડરી) વિન્ડિંગ કરંટ 0 (VDS=0) સુધી પહોંચે તે પહેલાં સિંક્રનસ રેક્ટિફિકેશન MOSFET બંધ થઈ જાય છે. વિવિધ ચિપ્સ દ્વારા સેટ કરાયેલ વર્તમાન શોધ સંદર્ભ વોલ્ટેજ મૂલ્યો અલગ છે, જેમ કે -20mV, -50mV, -100mV, -200mV, વગેરે.
સિસ્ટમનું વર્તમાન શોધ સંદર્ભ વોલ્ટેજ નિશ્ચિત છે. વર્તમાન શોધ સંદર્ભ વોલ્ટેજનું નિરપેક્ષ મૂલ્ય જેટલું વધારે, દખલગીરીની ભૂલ જેટલી નાની અને ચોકસાઈ એટલી સારી. જો કે, જ્યારે આઉટપુટ લોડ કરંટ Io ઘટે છે, ત્યારે સિંક્રનસ રેક્ટિફિકેશન MOSFET મોટા આઉટપુટ વર્તમાન પર બંધ થઈ જશે, અને તેનો આંતરિક પરોપજીવી ડાયોડ લાંબા સમય સુધી ચાલશે, તેથી આકૃતિ 14 માં બતાવ્યા પ્રમાણે કાર્યક્ષમતા ઓછી થાય છે.
વધુમાં, જો વર્તમાન શોધ સંદર્ભ વોલ્ટેજનું સંપૂર્ણ મૂલ્ય ખૂબ નાનું છે. સિસ્ટમની ભૂલો અને હસ્તક્ષેપને કારણે ગૌણ (ગૌણ) વિન્ડિંગ કરંટ 0 કરતાં વધી જાય પછી સિંક્રનસ સુધારણા MOSFET બંધ થઈ શકે છે, પરિણામે રિવર્સ પ્રવાહ પ્રવાહ, કાર્યક્ષમતા અને સિસ્ટમની વિશ્વસનીયતાને અસર કરે છે.
ઉચ્ચ-ચોકસાઇવાળા વર્તમાન શોધ સંકેતો સિસ્ટમની કાર્યક્ષમતા અને વિશ્વસનીયતામાં સુધારો કરી શકે છે, પરંતુ ઉપકરણની કિંમતમાં વધારો થશે. વર્તમાન શોધ સંકેતની ચોકસાઈ નીચેના પરિબળોથી સંબંધિત છે:
①. વર્તમાન શોધ સંદર્ભ વોલ્ટેજની ચોકસાઈ અને તાપમાન ડ્રિફ્ટ;
②. પૂર્વગ્રહ વોલ્ટેજ અને ઓફસેટ વોલ્ટેજ, પૂર્વગ્રહ વર્તમાન અને ઓફસેટ વર્તમાન, અને વર્તમાન એમ્પ્લીફાયરનું તાપમાન ડ્રિફ્ટ;
③. સિંક્રનસ રેક્ટિફિકેશન MOSFET ના ઓન-વોલ્ટેજ Rdson ની ચોકસાઈ અને તાપમાન ડ્રિફ્ટ.
વધુમાં, સિસ્ટમના પરિપ્રેક્ષ્યમાં, તેને ડિજિટલ નિયંત્રણ દ્વારા સુધારી શકાય છે, વર્તમાન શોધ સંદર્ભ વોલ્ટેજને બદલીને અને સિંક્રનસ સુધારણા MOSFET ડ્રાઇવિંગ વોલ્ટેજને બદલીને.
જ્યારે આઉટપુટ લોડ વર્તમાન Io ઘટે છે, જો પાવર MOSFET નું ડ્રાઇવિંગ વોલ્ટેજ ઘટે છે, તો અનુરૂપ MOSFET ટર્ન-ઓન વોલ્ટેજ Rdson વધે છે. આકૃતિ 15 માં બતાવ્યા પ્રમાણે, સિંક્રનસ રેક્ટિફિકેશન MOSFET ને વહેલું બંધ કરવાનું ટાળવું, પરોપજીવી ડાયોડના વહન સમયને ઘટાડવો અને સિસ્ટમની કાર્યક્ષમતામાં સુધારો કરવો શક્ય છે.
તે આકૃતિ 14 પરથી જોઈ શકાય છે કે જ્યારે આઉટપુટ લોડ વર્તમાન Io ઘટે છે, ત્યારે વર્તમાન શોધ સંદર્ભ વોલ્ટેજ પણ ઘટે છે. આ રીતે, જ્યારે આઉટપુટ વર્તમાન Io મોટો હોય છે, ત્યારે નિયંત્રણની ચોકસાઈને સુધારવા માટે ઉચ્ચ વર્તમાન શોધ સંદર્ભ વોલ્ટેજનો ઉપયોગ થાય છે; જ્યારે આઉટપુટ વર્તમાન Io નીચું હોય, ત્યારે નીચા વર્તમાન શોધ સંદર્ભ વોલ્ટેજનો ઉપયોગ થાય છે. તે સિંક્રનસ સુધારણા MOSFET ના વહન સમયને પણ સુધારી શકે છે અને સિસ્ટમની કાર્યક્ષમતામાં સુધારો કરી શકે છે.
જ્યારે ઉપરોક્ત પદ્ધતિનો સુધારણા માટે ઉપયોગ કરી શકાતો નથી, ત્યારે Schottky ડાયોડને સિંક્રનસ રેક્ટિફિકેશન MOSFET ના બંને છેડે સમાંતર રીતે પણ જોડી શકાય છે. સિંક્રનસ રેક્ટિફિકેશન MOSFET અગાઉથી બંધ કર્યા પછી, ફ્રીવ્હીલિંગ માટે બાહ્ય સ્કોટ્ટી ડાયોડ કનેક્ટ કરી શકાય છે.
7. ગૌણ (ગૌણ) નિયંત્રણ CCM+DCM હાઇબ્રિડ મોડ
હાલમાં, મોબાઇલ ફોન ઝડપી ચાર્જિંગ માટે મૂળભૂત રીતે બે સામાન્ય રીતે ઉપયોગમાં લેવાતા ઉકેલો છે:
(1) પ્રાથમિક બાજુ (પ્રાથમિક) નિયંત્રણ અને DCM વર્કિંગ મોડ. ગૌણ બાજુ (સેકન્ડરી) સિંક્રનસ સુધારણા MOSFET ને સિંક્રનાઇઝેશન સિગ્નલની જરૂર નથી.
(2) ગૌણ (ગૌણ) નિયંત્રણ, CCM+DCM મિશ્રિત ઓપરેટિંગ મોડ (જ્યારે આઉટપુટ લોડ વર્તમાન ઘટે છે, CCM થી DCM સુધી). ગૌણ બાજુ (સેકન્ડરી) સિંક્રનસ રેક્ટિફિકેશન MOSFET સીધું સંચાલિત છે, અને તેના ટર્ન-ઑન અને ટર્ન-ઑફ લોજિક સિદ્ધાંતો આકૃતિ 16 માં દર્શાવવામાં આવ્યા છે:
સિંક્રનસ રેક્ટિફિકેશન MOSFET ચાલુ કરવું: જ્યારે સિંક્રનસ રેક્ટિફિકેશન MOSFET ના VDS નું વોલ્ટેજ ધનથી નકારાત્મકમાં બદલાય છે, ત્યારે તેનો આંતરિક પરોપજીવી ડાયોડ ચાલુ થાય છે. ચોક્કસ વિલંબ પછી, સિંક્રનસ સુધારણા MOSFET ચાલુ થાય છે.
સિંક્રનસ સુધારણા MOSFET બંધ કરી રહ્યા છીએ:
① જ્યારે આઉટપુટ વોલ્ટેજ સેટ મૂલ્ય કરતાં ઓછું હોય, ત્યારે સિંક્રનસ ઘડિયાળ સિગ્નલનો ઉપયોગ MOSFET ના ટર્ન-ઑફને નિયંત્રિત કરવા અને CCM મોડમાં કાર્ય કરવા માટે થાય છે.
② જ્યારે આઉટપુટ વોલ્ટેજ સેટ મૂલ્ય કરતા વધારે હોય છે, ત્યારે સિંક્રનસ ઘડિયાળ સિગ્નલને સુરક્ષિત કરવામાં આવે છે અને કાર્ય કરવાની પદ્ધતિ DCM મોડ જેવી જ હોય છે. VDS=-Io*Rdson સિગ્નલ સિંક્રનસ રેક્ટિફિકેશન MOSFET ના શટડાઉનને નિયંત્રિત કરે છે.
હવે, દરેક વ્યક્તિ જાણે છે કે MOSFET સમગ્ર ફાસ્ટ ચાર્જિંગ QCમાં શું ભૂમિકા ભજવે છે!
ઓલુકેય વિશે
ઓલુકેની કોર ટીમે 20 વર્ષથી ઘટકો પર ધ્યાન કેન્દ્રિત કર્યું છે અને તેનું મુખ્ય મથક શેનઝેનમાં છે. મુખ્ય વ્યવસાય: MOSFET, MCU, IGBT અને અન્ય ઉપકરણો. મુખ્ય એજન્ટ ઉત્પાદનો WINSOK અને Cmsemicon છે. સૈન્ય ઉદ્યોગ, ઔદ્યોગિક નિયંત્રણ, નવી ઉર્જા, તબીબી ઉત્પાદનો, 5G, ઈન્ટરનેટ ઓફ થિંગ્સ, સ્માર્ટ હોમ્સ અને વિવિધ કન્ઝ્યુમર ઈલેક્ટ્રોનિક્સ ઉત્પાદનોમાં ઉત્પાદનોનો વ્યાપક ઉપયોગ થાય છે. મૂળ વૈશ્વિક સામાન્ય એજન્ટના ફાયદા પર આધાર રાખીને, અમે ચાઇનીઝ બજાર પર આધારિત છીએ. અમે અમારા ગ્રાહકોને વિવિધ અદ્યતન હાઇ-ટેક ઇલેક્ટ્રોનિક ઘટકોનો પરિચય કરાવવા, ઉત્પાદકોને ઉચ્ચ-ગુણવત્તાવાળા ઉત્પાદનોના ઉત્પાદનમાં સહાય કરવા અને વ્યાપક સેવાઓ પ્રદાન કરવા માટે અમારી વ્યાપક ફાયદાકારક સેવાઓનો ઉપયોગ કરીએ છીએ.
-
ગેટ કેપેસિટેન્સ, ઓન-રેઝિસ્ટન્સ અને અન્ય પરમ...
-
MOSFET 101: અંતિમ પ્રારંભિક માર્ગદર્શિકા...
-
MOSFET ડ્રાઇવર સર્કિટ આવશ્યકતાઓ
-
કેવી રીતે નક્કી કરવું કે MOSFET સારું છે કે ખરાબ?
-
ટાળવા માટે MOSFET ઓવરકરન્ટ પ્રોટેક્શન સર્કિટ ...
-
PMOSFET શું છે, શું તમે જાણો છો?
-
MOSFET પસંદગી પર મહત્વપૂર્ણ પગલાં
-
MOSFET ના ત્રણ પિન, હું તેમને કેવી રીતે કહી શકું...
-
2N7000 MOSFET: અરજી માટેની સંપૂર્ણ માર્ગદર્શિકા...
-
MOSFET ની મૂળભૂત સમજ
-
હું મોસ્ફેટ્સ વચ્ચેનો તફાવત કેવી રીતે કહી શકું ...
-
MOSFET અને IGBT વચ્ચે શું તફાવત છે?...
-
N-ચેનલ MOSFET અને Pc વચ્ચેનો તફાવત...
-
De rol van vermogens-MOSFET-apparaten
-
નાના પેકેજ MOSFETs
-
મારા MOSFET કે જે ગરમ થઈ રહ્યું છે તેને ઠીક કરવા માટે હું શું કરી શકું ...
