ઇન્વર્ટર MOSFET હીટિંગના કારણો શું છે?

ઇન્વર્ટરનું MOSFET સ્વિચિંગ સ્થિતિમાં કામ કરે છે અને MOSFETમાંથી વહેતો પ્રવાહ ખૂબ જ વધારે છે. જો MOSFET યોગ્ય રીતે પસંદ કરેલ ન હોય, તો ડ્રાઇવિંગ વોલ્ટેજ એમ્પ્લીચ્યુડ પૂરતું મોટું નથી અથવા સર્કિટ હીટ ડિસીપેશન સારું નથી, તે MOSFETને ગરમ થવાનું કારણ બની શકે છે.

1, inverter MOSFET હીટિંગ ગંભીર છે, પર ધ્યાન આપવું જોઈએMOSFETપસંદગી

સ્વિચિંગ સ્ટેટમાં ઇન્વર્ટરમાં MOSFET, સામાન્ય રીતે તેનો ડ્રેઇન કરંટ શક્ય તેટલો મોટો હોય છે, શક્ય તેટલો નાનો હોય છે, જેથી કરીને તમે MOSFET ના સેચ્યુરેશન વોલ્ટેજ ડ્રોપને ઘટાડી શકો, જેનાથી MOSFET નો વપરાશ ઘટે છે. ગરમી

MOSFET મેન્યુઅલ તપાસો, અમે જોશું કે MOSFET નું પ્રતિકારક વોલ્ટેજ મૂલ્ય જેટલું ઊંચું છે, તેટલું તેની પર-પ્રતિરોધકતા વધારે છે, અને જેઓ ઉચ્ચ ડ્રેઇન પ્રવાહ ધરાવતા હોય છે, MOSFET ની ઓછી પ્રતિકારક વોલ્ટેજ કિંમત હોય છે, તેનો પ્રતિકાર સામાન્ય રીતે દસ કરતા ઓછો હોય છે. milliohms.

ધારીએ છીએ કે 5A નો લોડ કરંટ, અમે સામાન્ય રીતે ઉપયોગમાં લેવાતું ઇન્વર્ટર પસંદ કરીએ છીએ અને 500V 840 નું વોલ્ટેજ મૂલ્ય હોઈ શકે છે, તેમનો ડ્રેઇન કરંટ 5A અથવા તેથી વધુ હોય છે, પરંતુ બે MOSFET નો ઓન-રેઝિસ્ટન્સ અલગ છે, સમાન પ્રવાહ ચલાવો. , તેમની ગરમીનો તફાવત ઘણો મોટો છે. 75N08R ઓન-રેઝિસ્ટન્સ માત્ર 0.008Ω છે, જ્યારે 840 નું ઓન-રેઝિસ્ટન્સ 75N08Rનું ઓન-રેઝિસ્ટન્સ માત્ર 0.008Ω છે, જ્યારે 840નું ઓન-રેઝિસ્ટન્સ 0.85Ω છે. જ્યારે MOSFET દ્વારા વહેતો લોડ પ્રવાહ 5A હોય છે, ત્યારે 75N08R ના MOSFET નો વોલ્ટેજ ડ્રોપ માત્ર 0.04V હોય છે, અને MOSFET નો MOSFET વપરાશ માત્ર 0.2W હોય છે, જ્યારે 840 ના MOSFET નો વોલ્ટેજ ડ્રોપ 4.25 સુધીનો હોઈ શકે છે. MOSFET જેટલું ઊંચું છે 21.25W. આના પરથી, તે જોઈ શકાય છે કે MOSFET નું ઑન-રેઝિસ્ટન્સ 75N08R ના ઑન-રેઝિસ્ટન્સ કરતાં અલગ છે, અને તેમની ગરમીનું ઉત્પાદન ખૂબ જ અલગ છે. MOSFET નું ઓન-રેઝિસ્ટન્સ જેટલું નાનું છે, તેટલું સારું, MOSFET નું ઓન-રેઝિસ્ટન્સ, ઉચ્ચ વર્તમાન વપરાશ હેઠળ MOSFET ટ્યુબ ખૂબ મોટી છે.

2, ડ્રાઇવિંગ વોલ્ટેજ કંપનવિસ્તારનું ડ્રાઇવિંગ સર્કિટ પૂરતું મોટું નથી

MOSFET એ વોલ્ટેજ કંટ્રોલ ડિવાઇસ છે, જો તમે MOSFET ટ્યુબનો વપરાશ ઘટાડવા, ગરમી ઘટાડવા માંગતા હોવ, MOSFET ગેટ ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ એમ્પ્લિટ્યુડ પૂરતો મોટો હોવો જોઈએ, પલ્સ એજને બેહદ સુધી લઈ જઈ શકે છે,MOSFETટ્યુબ વોલ્ટેજ ડ્રોપ, MOSFET ટ્યુબ વપરાશ ઘટાડે છે.

3, MOSFET હીટ ડિસીપેશન સારું કારણ નથી

ઇન્વર્ટર MOSFET હીટિંગ ગંભીર છે. ઇન્વર્ટર MOSFET ટ્યુબનો વપરાશ મોટો હોવાથી, કામ માટે સામાન્ય રીતે હીટ સિંકના પર્યાપ્ત મોટા બાહ્ય વિસ્તારની જરૂર પડે છે, અને બાહ્ય હીટ સિંક અને MOSFET પોતે હીટ સિંક વચ્ચેના નજીકના સંપર્કમાં હોવા જોઈએ (સામાન્ય રીતે થર્મલી વાહક સાથે કોટેડ હોવું જરૂરી છે. સિલિકોન ગ્રીસ), જો બાહ્ય હીટ સિંક નાનું હોય, અથવા MOSFET સાથે પોતે પૂરતી નજીક ન હોય હીટ સિંકનો સંપર્ક, MOSFET હીટિંગ તરફ દોરી શકે છે.

Inverter MOSFET હીટિંગ ગંભીર છે સારાંશ માટે ચાર કારણો છે.

MOSFET સહેજ ગરમ થવું એ સામાન્ય ઘટના છે, પરંતુ ગરમી ગંભીર છે, અને MOSFET બળી જવા તરફ પણ દોરી જાય છે, નીચેના ચાર કારણો છે:

1, સર્કિટ ડિઝાઇનની સમસ્યા

MOSFET ને સ્વિચિંગ સર્કિટ સ્થિતિને બદલે રેખીય ઓપરેટિંગ સ્થિતિમાં કામ કરવા દો. તે MOSFET હીટિંગના કારણોમાંનું એક પણ છે. જો N-MOS સ્વિચિંગ કરી રહ્યું હોય, તો G-સ્તરનું વોલ્ટેજ સંપૂર્ણપણે ચાલુ થવા માટે પાવર સપ્લાય કરતાં થોડા V વધુ હોવું જોઈએ, જ્યારે P-MOS તેનાથી વિરુદ્ધ છે. સંપૂર્ણપણે ખુલ્લું નથી અને વોલ્ટેજ ડ્રોપ ખૂબ મોટો છે પરિણામે પાવર વપરાશ થાય છે, સમકક્ષ DC અવબાધ મોટો છે, વોલ્ટેજ ડ્રોપ વધે છે, તેથી U * I પણ વધે છે, નુકસાન એટલે ગરમી. સર્કિટની ડિઝાઇનમાં આ સૌથી વધુ ટાળેલી ભૂલ છે.

2, ખૂબ ઊંચી આવર્તન

મુખ્ય કારણ એ છે કે કેટલીકવાર વોલ્યુમની વધુ પડતી શોધ, પરિણામે આવર્તન વધે છે,MOSFETમોટા પ્રમાણમાં નુકસાન થાય છે, તેથી ગરમી પણ વધી છે.

3, પૂરતી થર્મલ ડિઝાઇન નથી

જો વર્તમાન ખૂબ ઊંચું હોય, તો MOSFET નું નજીવા વર્તમાન મૂલ્ય, સામાન્ય રીતે હાંસલ કરવા માટે સારી ગરમીના વિસર્જનની જરૂર પડે છે. તેથી ID મહત્તમ વર્તમાન કરતાં ઓછું છે, તે ખરાબ રીતે ગરમ પણ થઈ શકે છે, પૂરતી સહાયક હીટ સિંકની જરૂર છે.

4, MOSFET પસંદગી ખોટી છે

શક્તિનો ખોટો નિર્ણય, MOSFET આંતરિક પ્રતિકારને સંપૂર્ણપણે ધ્યાનમાં લેવામાં આવતો નથી, પરિણામે સ્વિચિંગ અવરોધ વધે છે.